容量：8Gbit (1GB)
　　电压：3.3V
　　接口类型：x8 并行 NAND
　　封装类型：48-TSOP
　　温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　数据读取速度：最高 25ns
　　编程时间：约 200μs（微秒）
　　擦除时间：约 2ms（毫秒）
　　可靠性：10万次擦写周期
　　数据保持时间：10年

HY27UG088G2M-TPCB 是一款高性能、低功耗的 NAND 闪存芯片，专为嵌入式系统设计。该芯片采用了 Hynix 的先进闪存技术，具有较高的稳定性和可靠性。
　　其主要特性之一是其并行 x8 接口，允许主控芯片快速访问存储内容，适用于需要较高数据吞吐量的应用场景。该芯片支持标准的 NAND 接口协议，兼容多种 NAND 控制器，便于系统集成。
　　工作电压为 3.3V，使其在功耗和性能之间取得良好平衡，适合对功耗有一定要求的便携设备。其 48-TSOP 封装形式不仅节省空间，而且具有良好的热稳定性和机械强度，适用于工业环境。
　　该芯片的擦写寿命可达 10 万次以上，数据保存时间长达 10 年，非常适合需要长期稳定运行的应用。此外，它支持较宽的工作温度范围（-40°C 至 +85°C），满足工业级应用的需求。
　　在性能方面，HY27UG088G2M-TPCB 的数据读取速度可达 25ns，编程时间约为 200μs，而擦除操作则在 2ms 左右完成，能够满足大多数实时数据存储需求。

HY27UG088G2M-TPCB 适用于多种嵌入式系统和消费类电子产品，例如数字电视、DVD播放器、蓝光播放器、机顶盒、数码相机、MP3播放器、工业控制设备以及车载娱乐系统等。由于其高可靠性和宽温工作范围，它也常用于工业自动化设备和智能仪表中作为固件存储或数据缓存。该芯片的 x8 并行接口使其在需要中等容量存储且对成本敏感的应用中具有较高的性价比优势。

K9F1G08U0B-PCB0, TC58NVG1S3BTA00, MT29F1G08ABBEAH4-12