时间：2025/9/2 11:38:36
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HY27UF084G2M-TPCB是一款由Hynix（现为SK hynix）生产的NAND闪存芯片，广泛应用于需要大容量存储和高性能数据读写的各种电子设备中。该芯片采用了先进的制造工艺，具有高可靠性和低功耗的特点，适用于消费电子、工业控制和嵌入式系统等领域。
容量：4GB
封装类型：TSOP
接口：ONFI 1.0兼容
工作电压：2.7V - 3.6V
读取速度：最高50MB/s
写入速度：最高20MB/s
擦除速度：块擦除时间约2ms
存储单元类型：Multi-Level Cell（MLC）
数据保持时间：10年（典型值）
擦写次数：10,000次（典型值）
HY27UF084G2M-TPCB是一款高性能的NAND闪存芯片，专为满足嵌入式存储和大容量数据存储需求而设计。其核心特性之一是4GB的存储容量，这使其适用于需要较大存储空间的应用，例如固态硬盘（SSD）、嵌入式多媒体控制器（eMMC）以及便携式设备。该芯片采用TSOP封装形式，便于在各种PCB设计中集成，同时提供了较高的机械稳定性和热稳定性。
其接口设计符合ONFI 1.0标准，这使得它能够兼容多种控制器和嵌入式平台，简化了系统集成过程。工作电压范围为2.7V至3.6V，允许其在不同电源条件下稳定运行，适用于电池供电设备和工业级应用。在数据读写性能方面，HY27UF084G2M-TPCB的最大读取速度可达50MB/s，写入速度可达20MB/s，能够满足大多数中高端应用的性能需求。
此外，该芯片支持块擦除操作，擦除时间仅为2ms左右，显著提高了存储管理的效率。基于MLC（Multi-Level Cell）技术，HY27UF084G2M-TPCB在存储密度和成本之间实现了良好的平衡，同时提供了高达10,000次的擦写寿命和10年的数据保持能力，确保了长期可靠的数据存储。
HY27UF084G2M-TPCB广泛应用于多种需要嵌入式或便携式存储解决方案的设备中。其4GB容量和高性能特性使其成为固态硬盘（SSD）和嵌入式多媒体控制器（eMMC）模块的理想选择。在消费电子领域，该芯片常用于智能手机、平板电脑和数码相机等设备，以提供稳定可靠的存储支持。
在工业自动化和控制系统中，HY27UF084G2M-TPCB可用于数据记录仪、工业计算机和嵌入式控制系统，其宽电压工作范围和高可靠性使其能够在恶劣的工业环境中稳定运行。此外，该芯片还适用于医疗设备、车载导航系统和便携式测试仪器等专业领域，满足对数据存储安全性和稳定性的高要求。
由于其ONFI 1.0兼容接口和标准封装形式，HY27UF084G2M-TPCB也常被用于开发板和原型设计中，为嵌入式开发人员提供灵活的存储扩展方案。
K9F4G08U0C-PCB0, TC58NVG1S3BFT00, MT29F4G08ABBEAH4
