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HY27UA084G2M-TPIB 发布时间 时间:2025/9/1 15:51:15 查看 阅读:10

HY27UA084G2M-TPIB 是一款由Hynix(现为SK Hynix)生产的NAND闪存芯片。这款芯片设计用于高密度数据存储应用,常见于固态硬盘(SSD)、嵌入式系统、USB存储设备以及各种便携式电子产品中。该型号采用8-bit NAND闪存技术,提供大容量存储,具有较高的读写速度和可靠性。

参数

容量:4GB
  电压:2.7V - 3.6V
  接口类型:8-bit NAND 接口
  封装类型:TSOP
  工作温度:-40°C 至 +85°C
  页面大小:2KB
  块大小:128KB
  擦写周期:10,000次
  数据保持时间:10年

特性

HY27UA084G2M-TPIB 是一款高性能、低功耗的NAND闪存芯片,适用于多种存储解决方案。该芯片采用TSOP封装,具有较小的封装体积,便于在空间受限的应用中使用。其工作电压范围为2.7V至3.6V,确保在多种电源条件下稳定运行,适用于电池供电设备和嵌入式系统。
  这款芯片的存储容量为4GB,页面大小为2KB,块大小为128KB,支持高效的读写和擦除操作。其擦写周期可达10,000次,数据保持时间长达10年,确保了长期使用的可靠性。此外,该芯片支持宽温度范围(-40°C至+85°C),适合在恶劣环境中运行,如工业控制设备和车载系统。

应用

HY27UA084G2M-TPIB 主要应用于需要大容量存储和高可靠性的设备。例如,它常用于固态硬盘(SSD)和嵌入式存储系统,为计算机和工业设备提供快速的数据访问。此外,该芯片也广泛用于数码相机、MP3播放器、PDA、智能手机等便携式电子产品中,作为主存储介质。由于其宽温特性和低功耗设计,该芯片也非常适合用于车载系统、工业控制设备和物联网(IoT)设备中。

替代型号

K9F5608U0C, TC58NVG2S0A, MT29F4G08ABADA

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