品牌：Hynix
　　型号：HY27UA084G2M-TPCB
　　类型：NAND Flash
　　容量：4Gbit（512MB）
　　封装：48-TSOP
　　数据总线宽度：8位
　　供电电压：2.7V - 3.6V
　　工作温度：0°C ~ 70°C
　　接口类型：并行NAND接口
　　支持ECC：支持错误校正码
　　擦除块大小：16KB
　　编程页大小：512B + 16B OOB
　　读取速度：最大50MB/s
　　写入速度：最大20MB/s

HY27UA084G2M-TPCB 是一款高性能、低功耗的NAND闪存芯片，适用于多种嵌入式系统和便携式设备。其主要特性包括高存储密度、宽电压工作范围以及良好的可靠性和耐用性。该芯片支持ECC（错误校正码）功能，可在数据读写过程中自动检测和纠正错误，确保数据完整性。此外，该芯片的擦除块大小为16KB，编程页大小为512字节+16字节的OOB（Out-of-Band）区域，适用于存储操作系统、应用程序和用户数据。
　　该芯片采用并行NAND接口，具有较快的读取和写入速度，最大读取速度可达50MB/s，写入速度可达20MB/s，能够满足大多数中低端嵌入式设备的性能需求。其工作温度范围为0°C至70°C，适用于一般工业和消费类应用场景。此外，HY27UA084G2M-TPCB 采用48引脚TSOP封装，便于PCB布局和焊接，适用于空间受限的便携式设备。
　　由于其成熟的技术和广泛的应用支持，HY27UA084G2M-TPCB 适合用于各种嵌入式系统，如MP3播放器、数码相机、USB存储设备和固态硬盘（SSD）等。

HY27UA084G2M-TPCB 主要应用于需要大容量非易失性存储的嵌入式系统和消费类电子产品。典型应用包括数码相机、MP3播放器、便携式媒体播放器、USB闪存盘、固态硬盘（SSD）、车载娱乐系统和工业控制系统等。其高可靠性和低功耗特性使其特别适合用于电池供电设备和移动电子产品。此外，该芯片也可用于嵌入式系统的固件存储和用户数据存储。

HY27US084G2M-TPCI，K9F5608U0C，K9F2G08U0A，S34ML04G200SBHI000