时间：2025/9/3 20:13:24
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HY27UA081G1M-TCB 是由Hynix（现为SK hynix）生产的一款NAND闪存芯片。该芯片具有1Gbit（128MB）的存储容量，采用8位数据总线接口设计，适用于需要大容量存储和高性能数据读写的应用场景。该封装为TSOP（Thin Small Outline Package），适用于便携式设备和嵌入式系统。
容量：1Gbit
组织结构：128M x 8位
接口类型：8位NAND接口
封装类型：TSOP
工作电压：2.7V - 3.6V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
读取速度：最大支持50MB/s
写入速度：最大支持20MB/s
擦除时间：1ms 典型值
HY27UA081G1M-TCB 是一款高性能、低功耗的NAND闪存芯片，专为需要高可靠性和大容量存储的应用设计。该芯片采用CMOS工艺制造，具有良好的耐用性和数据保持能力。其8位NAND接口支持高速数据传输，适用于嵌入式系统、固态硬盘（SSD）、存储卡以及其他便携式电子设备。
该芯片的存储单元采用浮栅晶体管技术，支持高密度数据存储。通过ECC（错误校正码）机制，HY27UA081G1M-TCB 能够检测并纠正单比特错误，确保数据的完整性和可靠性。此外，该芯片支持坏块管理功能，能够在出厂时标记不可靠的存储块，从而提高整体使用寿命。
在功耗方面，HY27UA081G1M-TCB 具有低待机电流和高效的读写功耗管理，适合电池供电设备使用。其封装尺寸小，便于集成到空间受限的设计中，同时具备良好的抗干扰能力，适用于工业级工作环境。
HY27UA081G1M-TCB 广泛应用于嵌入式系统、手持设备、数码相机、MP3播放器、便携式导航设备（PND）、工业控制设备以及各种类型的存储卡和U盘。由于其高可靠性和低功耗特性，该芯片也适用于工业自动化、车载电子系统和医疗设备等对稳定性要求较高的领域。
K9F1G08U0B-PCB0, TC58NVG1S3AFT00, MT29F1G08ABBEA
