容量：4GB
　　封装类型：TSOP
　　接口类型：ONFI 2.3
　　工作电压：2.7V - 3.6V
　　读取速度：最高50MB/s
　　写入速度：最高20MB/s
　　擦除速度：最高3ms
　　工作温度：-40°C 至 +85°C

HY27U4G8F2BTR-BC 是一款SLC NAND闪存芯片，具有较长的擦写寿命（通常可达10万次P/E周期），相比MLC（多层单元）NAND具有更高的可靠性和数据保持能力。
　　该芯片支持ONFI 2.3接口标准，能够实现高速数据传输和低延迟访问，适用于对数据存取速度有较高要求的工业应用。
　　由于采用27nm制程工艺，HY27U4G8F2BTR-BC 在保持高性能的同时，也实现了较高的集成度和较小的封装尺寸，有助于节省PCB空间并降低系统设计复杂度。
　　该芯片支持ECC（错误校正码）功能，能够自动检测并纠正数据错误，确保数据的完整性和可靠性，适用于关键数据存储场景。
　　此外，HY27U4G8F2BTR-BC 还具备低功耗特性，支持多种省电模式，有助于延长设备的电池寿命并降低整体功耗，适用于便携式和低功耗应用场景。

HY27U4G8F2BTR-BC 主要用于工业控制设备、嵌入式系统、医疗设备、车载导航系统、智能电表、POS终端等对数据存储可靠性要求较高的领域。
　　在固态硬盘（SSD）中，该芯片可作为缓存或主存储单元使用，提供稳定的数据读写性能和较长的使用寿命。
　　此外，该芯片也适用于物联网（IoT）设备、自动化控制系统和数据采集设备，满足这些系统对非易失性存储器的高可靠性和高性能需求。

TC58NVG2S0H21RA0
　　K9F4G08U0C-PCB0