HY25LQDFD1GAMD-BPHE 是由Hynix(现为SK hynix)生产的一款高性能、低功耗的串行NOR闪存芯片。该芯片广泛应用于需要大容量非易失性存储的嵌入式系统中,如网络设备、工业控制、消费类电子产品等。该器件采用先进的CMOS工艺制造,支持高速数据读写操作,并提供多种保护机制以确保数据的完整性和可靠性。
容量:1Gb (128M x 8)
接口类型:SPI/QPI
工作电压:1.65V - 3.6V
最大时钟频率:133MHz
读取模式:单线/双线/四线SPI,QPI模式
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装类型:WSON8(8引脚 WSON,3mm x 4mm)
数据保持时间:100,000次编程/擦除周期
存储数据保留时间:10年
HY25LQDFD1GAMD-BPHE 是一款功能强大的串行闪存芯片,具备多项先进的技术特性,适用于各种高性能嵌入式系统。首先,其1Gb的存储容量可满足现代设备对固件和数据存储的高需求,适用于需要大量程序存储的应用场景。该芯片支持多种接口模式,包括标准SPI、双线SPI、四线SPI以及QPI(Quad Peripheral Interface),用户可以根据系统需求灵活选择接口方式,从而实现高速数据传输和更低的引脚占用。
在性能方面,该芯片的最大时钟频率可达133MHz,能够提供高达40MB/s以上的数据吞吐率,特别适合需要快速读取代码以实现XIP(Execute In Place)操作的应用。此外,该器件支持多种读取模式,包括单线、双线和四线命令/地址/数据传输模式,进一步提高了灵活性和系统集成度。
HY25LQDFD1GAMD-BPHE 还具备出色的低功耗特性,适用于对能耗敏感的便携式设备和电池供电系统。其工作电压范围为1.65V至3.6V,能够兼容多种电源管理方案,同时在不同操作模式下(如待机模式、深度掉电模式)可显著降低功耗。
该芯片支持多种安全特性,包括软件和硬件写保护、顶部/底部保护、临时块保护等机制,可有效防止意外擦除或写入操作,从而保护关键数据和固件的安全性。另外,它还支持JEDEC标准的电子签名读取功能,便于主机系统进行设备识别和配置。
封装方面,该芯片采用紧凑的WSON8封装(3mm x 4mm),非常适合空间受限的设计,同时具备良好的热稳定性和电气性能。其工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于工业级环境,能够稳定运行于各种严苛条件下的应用场景。
HY25LQDFD1GAMD-BPHE 适用于需要高容量、高速度和低功耗的嵌入式系统设计。例如,该芯片广泛应用于路由器、交换机、工业控制器、智能家电、物联网设备、穿戴设备、车载系统以及各种消费类电子产品中。在这些应用中,它常用于存储启动代码(如Bootloader)、固件、操作系统镜像、图形资源和配置数据等。由于其高速接口和XIP功能,该芯片特别适合用于直接从闪存中执行代码的应用,从而减少对外部RAM的依赖,降低系统成本。此外,其高可靠性和宽温特性也使其适用于工业自动化和汽车电子等要求严苛的环境。
W25Q128JV, MX25L12835F, S25FL128S