时间：2025/12/25 0:55:07
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HY2110-DB 是一款由 Haoyue Electronics（豪越电子）推出的高集成度、低功耗的锂电池保护 IC，广泛应用于单节锂电池的电池管理系统中。该芯片主要用于监测电池电压和电流，并在异常情况下（如过充、过放、过流或短路）控制外部 MOSFET，以保护电池安全。HY2110-DB 采用 SOT-26 或 DFN 封装，适合便携式电子设备如手机、平板电脑、电动工具、移动电源等使用。
工作电压范围：2.0V ~ 6.0V
过充电压检测阈值：3.6V ~ 4.6V（典型值4.3V）
过放电压检测阈值：2.0V ~ 3.0V（典型值2.4V）
过流检测阈值：0.15V ~ 0.3V（典型值0.2V）
短路保护响应时间：小于10微秒
工作温度范围：-40℃ ~ +85℃
封装形式：SOT-26 或 DFN
HY2110-DB 提供全面的电池保护功能，包括过充保护、过放保护、过流保护和短路保护。芯片内置高精度电压比较器和基准电压源，确保检测精度。其低功耗设计使得在待机模式下的电流消耗极低，通常小于3μA，有助于延长电池寿命。此外，HY2110-DB 具有良好的抗干扰能力，可在复杂的电磁环境中稳定工作。芯片还支持外部延时配置，用户可根据实际需求调整保护延迟时间，以适应不同的应用场景。
该 IC 的封装形式小巧，便于在空间受限的设备中使用。同时，HY2110-DB 与外部 N 沟道 MOSFET 配合使用，实现高效的电池保护方案，降低了整体系统成本。其高集成度和稳定性使其成为众多锂电池应用的理想选择。
HY2110-DB 主要应用于单节锂电池的保护电路中，适用于各类便携式电子产品，如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机、智能手表、电动玩具、电子烟、数码相机和移动电源等。此外，该芯片也广泛用于工业设备、医疗仪器和电动工具等对电池安全要求较高的领域。
DW01-P, G2110, S-8261, R5401N
