容量：256K x 16位
　　组织方式：256K地址 x 16数据位
　　电压：3.3V
　　访问时间：7.5ns
　　封装类型：TSOP（54引脚）
　　工作温度：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　最大工作频率：约133MHz（基于访问时间计算）
　　刷新周期：64ms
　　数据保持电压：2.0V
　　输入/输出电平：TTL兼容

HY18L256160BF-7.5 是一款高速、低功耗的DRAM芯片，具备出色的稳定性和可靠性，适用于多种复杂的工作环境。其7.5ns的访问时间使其能够支持高达133MHz的工作频率，满足高速数据处理的需求。该芯片采用3.3V电源供电，相比早期的5V器件显著降低了功耗，并具备TTL电平兼容的输入输出接口，简化了与外围电路的连接。
　　该DRAM芯片的存储组织为256K x 16位，提供了总计512KB的数据存储能力。其TSOP封装形式不仅节省空间，还提高了散热性能，适用于高密度PCB布局。此外，该芯片支持标准的64ms刷新周期，确保数据在无需频繁刷新的情况下保持完整性。
　　Hynix 在该器件中采用了先进的CMOS工艺，有效降低了漏电流，从而延长了数据保持时间。即使在供电电压降至2.0V时，芯片仍能维持数据不丢失，非常适合低功耗待机模式的应用。该芯片的工业级温度范围（-40°C 至 +85°C）使其适用于户外设备、工业自动化系统等严苛环境。

HY18L256160BF-7.5 适用于多种需要高速缓存和临时数据存储的电子系统。常见应用包括个人计算机的主内存扩展、工业控制设备、通信路由器和交换机、视频采集与处理设备、嵌入式系统以及测试测量仪器等。由于其高速访问时间和低功耗特性，该芯片也常用于对性能和能效有较高要求的便携式电子产品。

HY18L256160BF-7.5 可以被以下型号替代：CY7C1041CV33-7ZS、IS61LV25616-7T、IDT71V124SA7.5Y。