HY1804D 时间：2025/9/2 8:55:27 阅读：8

HY1804D 是一款由 HYNIX（现为 SK Hynix）生产的动态随机存取存储器（DRAM）芯片。该芯片属于早期的DRAM技术，主要用于计算机和嵌入式系统中作为主存储器使用。HY1804D 采用异步设计，其容量为1Mbit（128K x 8），并以双列直插式封装（DIP）或塑料封装（TSOP）形式提供。该芯片广泛应用于老式工业控制设备、嵌入式系统以及早期个人计算机的内存模块中。

参数

容量：1Mbit
　　组织结构：128K x 8
　　电压：5V
　　封装类型：DIP 或 TSOP
　　访问时间：150ns/200ns 可选
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　接口类型：异步
　　数据宽度：8位
　　刷新方式：自动刷新

特性

HY1804D 具备标准异步DRAM的基本功能，采用5V电源供电，确保与早期系统的兼容性。其150ns或200ns的访问时间适合中低速系统使用，满足当时工业设备和嵌入式应用对稳定性和成本的考量。芯片内部集成了刷新电路，支持自动刷新和预充电操作，降低了外部控制器的复杂性。此外，HY1804D 支持常见的DRAM控制信号，如行地址选通（RAS）、列地址选通（CAS）、写使能（WE）等，便于与主控芯片连接。
　　该芯片的封装形式多样，包括28引脚DIP和TSOP封装，适用于不同的电路板设计需求。由于其较高的稳定性和较低的成本，HY1804D 曾在上世纪90年代广泛应用于各类电子设备中。

应用

HY1804D 主要应用于需要中等容量内存的工业控制系统、老式嵌入式设备、通信模块以及早期PC的内存条中。由于其异步接口和5V供电设计，该芯片常用于与老式微控制器、数字信号处理器（DSP）或其他不具备同步内存接口的系统配合使用。在某些需要长期运行且对内存容量要求不高的场景中，HY1804D 仍然被使用或作为替代器件出现。