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HY1607D 发布时间 时间:2025/9/2 8:08:40 查看 阅读:9

HY1607D是一款由Hynix(现为SK Hynix)生产的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于高性能存储器解决方案的一部分。该芯片广泛应用于计算机、嵌入式系统、网络设备和消费类电子产品中,提供高速数据存储和访问能力。HY1607D采用标准的DRAM架构,具备较大的存储容量和较高的数据传输速率,适用于需要快速读写操作的场景。

参数

类型:DRAM
  容量:16M x 7(128Mb)
  电压:3.3V
  封装类型:TSOP(Thin Small Outline Package)
  引脚数:54
  访问时间:5.4ns
  最大频率:166MHz
  数据宽度:x7(7位)
  工作温度范围:0°C至70°C
  封装尺寸:具体尺寸因封装类型而异,典型值约为18mm x 20mm

特性

HY1607D具备多项优良特性,适用于高性能存储系统。其高速访问时间为5.4ns,支持高达166MHz的工作频率,能够满足对数据传输速度有较高要求的应用场景。该芯片采用3.3V电源电压,符合大多数现代电子设备的电源标准,降低了功耗并提高了稳定性。HY1607D的x7数据宽度设计使其在特定应用中具备更高的数据吞吐能力。此外,该芯片采用TSOP封装技术,具有良好的散热性能和较小的封装体积,适合空间受限的应用环境。其工作温度范围为0°C至70°C,确保了在常规工业环境下的稳定运行。HY1607D还具备良好的兼容性,能够与多种主控芯片和系统平台无缝集成。

应用

HY1607D广泛应用于多种电子设备和系统中,尤其是在需要高速数据存储和访问的场景中表现优异。其主要应用领域包括个人计算机、服务器、工业控制设备、网络路由器和交换机、图形处理器以及嵌入式系统。此外,HY1607D也常用于消费类电子产品,如智能电视、机顶盒、游戏机等,提供稳定可靠的内存支持。在工业控制和通信设备中,HY1607D能够确保高速数据处理和实时响应,满足对性能和稳定性的双重需求。

替代型号

IS42S16400F-6T、MT48LC16M16A2B4-6A、K4S641632E-TCC

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