HY1603D 是一款由 Holley(合科泰)生产的高性能、低功耗的场效应晶体管(MOSFET),主要用于功率开关和电源管理应用。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术制造,具备低导通电阻、高效率和优良的热稳定性。HY1603D 通常用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动和电池管理系统等电子设备中。其封装形式为 SOP-8,适用于表面贴装技术,便于在高密度 PCB 设计中使用。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS):30V
最大漏极电流(ID):8A
导通电阻(RDS(on)):20mΩ @ VGS=10V
栅极电压(VGS):±20V
功率耗散(PD):3W
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
封装类型:SOP-8
HY1603D 的主要特性之一是其低导通电阻,典型值为 20mΩ,在 VGS=10V 的条件下,能够显著降低导通损耗,提高系统效率。这种低 RDS(on) 特性使其非常适合用于高电流应用,如电源转换和负载开关。
该器件的额定漏源电压为 30V,最大漏极电流为 8A,能够满足多种中低压功率管理需求。此外,HY1603D 具备良好的热稳定性,其最大功率耗散为 3W,确保在高负载条件下仍能稳定运行。
该 MOSFET 采用 SOP-8 封装,体积小巧,适合用于高密度电路设计。其栅极电压范围为 ±20V,提供了良好的驱动兼容性,适用于多种控制电路。
HY1603D 还具有较快的开关速度和较低的开关损耗,这使其在高频开关应用中表现出色,例如 DC-DC 转换器和同步整流器。其工作温度范围为 -55°C 至 150°C,适用于工业级环境条件。
HY1603D 广泛应用于各类功率电子设备中,主要用途包括电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、马达驱动器、电池管理系统以及工业自动化设备。由于其低导通电阻和高电流能力,HY1603D 非常适合用于同步整流器和高效率电源模块。
在电源管理系统中,HY1603D 常用于电池供电设备的功率开关,如便携式电子产品、电动工具和无人机等。其快速开关特性也有助于减少能量损耗,延长电池使用寿命。
在电机控制应用中,HY1603D 可用于 H 桥驱动电路,实现对直流电机或步进电机的高效控制。其高耐压和高电流能力确保电机在不同负载条件下稳定运行。
此外,HY1603D 也广泛用于 LED 照明系统的调光控制、电源适配器、服务器电源模块以及智能电表等应用场景。
Si2302DS, AO3400, IRF7409, BSS138K