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HY050N08C2 发布时间 时间:2025/9/1 21:07:24 查看 阅读:5

HY050N08C2 是一款高性能、低导通电阻的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等电力电子领域。该器件采用先进的沟槽式技术,提供卓越的导通性能和热稳定性。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):80V
  栅源电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID):50A
  导通电阻(RDS(on)):8mΩ @ VGS=10V
  功率耗散(PD):160W
  工作温度范围:-55°C ~ +175°C

特性

HY050N08C2 MOSFET具备低导通电阻的特点,有助于降低导通损耗,提高系统效率。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET结构,具有更高的电流密度和更低的开关损耗,从而提升了整体性能。
  此外,该MOSFET具有较高的热稳定性,适用于高功率密度应用。其封装形式通常为TO-263或类似表面贴装封装,便于散热和高密度安装。
  该器件的栅极驱动电压范围较宽,兼容主流的10V和12V驱动电路,同时具备较强的抗雪崩能力和过载承受能力,提高了系统可靠性。
  HY050N08C2 还具有快速开关特性,适用于高频开关应用,减少开关损耗,提高转换效率。适用于电源管理、电池供电系统、服务器电源、DC-DC转换器、负载开关及工业自动化设备等场合。

应用

该MOSFET广泛应用于多种高功率电子系统中,包括但不限于开关电源(SMPS)、DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电机驱动、电池管理系统(BMS)、负载开关控制、工业自动化设备以及高功率LED照明系统等。由于其优异的导通性能和热管理能力,HY050N08C2特别适用于对效率和散热要求较高的应用环境。

替代型号

SiR862DP, FDP80N08A, IRF1324S-7PbF, IPW90R080C3

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