时间：2025/9/1 21:07:24
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HY050N08C2 是一款高性能、低导通电阻的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等电力电子领域。该器件采用先进的沟槽式技术，提供卓越的导通性能和热稳定性。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：80V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：50A
导通电阻（RDS(on)）：8mΩ @ VGS=10V
功率耗散（PD）：160W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
HY050N08C2 MOSFET具备低导通电阻的特点，有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET结构，具有更高的电流密度和更低的开关损耗，从而提升了整体性能。
此外，该MOSFET具有较高的热稳定性，适用于高功率密度应用。其封装形式通常为TO-263或类似表面贴装封装，便于散热和高密度安装。
该器件的栅极驱动电压范围较宽，兼容主流的10V和12V驱动电路，同时具备较强的抗雪崩能力和过载承受能力，提高了系统可靠性。
HY050N08C2 还具有快速开关特性，适用于高频开关应用，减少开关损耗，提高转换效率。适用于电源管理、电池供电系统、服务器电源、DC-DC转换器、负载开关及工业自动化设备等场合。
该MOSFET广泛应用于多种高功率电子系统中，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电机驱动、电池管理系统（BMS）、负载开关控制、工业自动化设备以及高功率LED照明系统等。由于其优异的导通性能和热管理能力，HY050N08C2特别适用于对效率和散热要求较高的应用环境。
SiR862DP, FDP80N08A, IRF1324S-7PbF, IPW90R080C3
