时间：2025/7/25 5:57:46
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HXB15H2G160CF-13K是一款由Vishay Siliconix制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高功率和高频应用。该器件具有低导通电阻、高耐压能力以及快速开关特性，广泛用于电源转换器、电机控制、电池管理系统以及工业自动化设备中。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：160V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：15A（在25°C）
功耗(Pd)：130W
导通电阻(Rds(on))：80mΩ（最大）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220
技术：TrenchFET
HXB15H2G160CF-13K采用了先进的TrenchFET技术，使得该MOSFET在保持低导通电阻的同时，具备出色的热稳定性和更高的功率密度。其80mΩ的Rds(on)显著降低了导通损耗，提高了系统效率。此外，该器件的160V耐压能力使其在高压应用中具有良好的可靠性和稳定性。TO-220封装形式提供了良好的散热性能，适用于需要高功率处理能力的设计。该MOSFET还具有快速开关速度，适合用于高频开关电路，从而减小外围元件的尺寸并提高整体系统效率。此外，HXB15H2G160CF-13K具有良好的抗雪崩击穿能力，能够在高应力条件下保持稳定运行，适用于严苛的工业和汽车电子环境。
HXB15H2G160CF-13K广泛应用于多个领域，包括但不限于：电源管理系统、DC-DC转换器、电机驱动器、电池充电器、UPS（不间断电源）、工业自动化控制系统、电动工具和汽车电子设备。其高耐压和低导通电阻特性使其成为高效率电源转换的理想选择。此外，该器件也适用于需要高可靠性的应用，如新能源系统中的逆变器和储能系统。
SiHF15N160E, FQP15N160C, IXFH15N160B
