型号：HWD4861M
　　通道类型：N沟道
　　漏源电压(VDS)：60V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：30A @ 25°C
　　脉冲漏极电流(IDM)：120A
　　导通电阻(RDS(on))：10mΩ @ VGS=10V, ID=15A
　　导通电阻(RDS(on))：13mΩ @ VGS=4.5V, ID=15A
　　阈值电压(Vth)：2.0V ~ 3.0V
　　输入电容(Ciss)：2800pF @ VDS=30V
　　输出电容(Coss)：1100pF @ VDS=30V
　　反向恢复时间(trr)：30ns
　　最大功耗(PD)：50W
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOP-8

HWD4861M采用了先进的沟槽型MOSFET制造工艺，这种结构能够显著提升单位面积内的载流子迁移效率，从而实现极低的导通电阻RDS(on)，在VGS=10V时可低至10mΩ，这使得器件在大电流工作条件下依然保持较低的导通损耗，有助于提升电源系统的转换效率并减少散热设计压力。该器件的栅极设计经过优化，具有较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），从而降低了驱动电路所需的能量，提高了开关速度，特别适用于高频开关应用如同步整流和DC-DC变换器。
　　此外，HWD4861M具备良好的热稳定性与可靠性，在150°C的最大结温下仍能稳定工作，确保了在恶劣环境或长时间运行中的安全性和耐久性。其内部结构集成了快速体二极管，具备较短的反向恢复时间（trr约30ns），减少了开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI），提升了系统整体的动态响应能力。该器件还具备较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过压情况下吸收一定的能量而不损坏，增强了系统的鲁棒性。
　　SOP-8封装不仅节省空间，而且便于自动化贴片生产，适用于现代高密度PCB布局。同时，该封装具备一定的散热能力，配合适当的PCB铜箔设计可以有效传导热量，避免局部过热。综合来看，HWD4861M以其低导通电阻、高电流承载能力、优良的开关特性和高可靠性，成为中低电压功率开关应用中的理想选择，尤其适合对效率和尺寸有较高要求的应用场景。

HWD4861M广泛应用于各类中低功率电力电子系统中，典型用途包括但不限于：同步整流式DC-DC降压或升压转换器，其中其低导通电阻和快速开关特性可显著提升转换效率；便携式电子设备的电池管理系统（BMS），用于充放电回路的通断控制；电机驱动模块，特别是在小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中作为主开关元件；开关电源（SMPS）中的初级或次级侧开关管，支持高频率工作模式以缩小磁性元件体积；LED恒流驱动电源，提供高效的功率调节功能；此外，还可用于热插拔控制器、电源多路复用器以及工业自动化控制板卡中的负载开关。由于其具备良好的温度稳定性和抗干扰能力，HWD4861M也适用于工业环境下的长期运行设备，如PLC模块、传感器供电单元和嵌入式电源模块等。其表面贴装封装形式适应现代自动化生产线的需求，适合大规模批量生产。

AP4861M, APM4861, Si4861DY, FDS4861, EUP4861