HVU363A是一款由Renesas(原Intersil)生产的高压、高速MOSFET驱动器集成电路,专为驱动功率MOSFET和IGBT设计。该器件采用双通道架构,分别提供高边和低边驱动能力,适用于同步整流、DC-DC转换器、电机控制和功率因数校正(PFC)等应用。HVU363A具有较强的抗干扰能力和可靠性,工作电压可达600V,适用于高电压和高频率的功率转换场合。
工作电压范围:10V至20V
高压侧最大耐压:600V
输出电流能力:典型值1.5A(峰值)
传播延迟时间:约170ns
上升/下降时间:约15ns
工作温度范围:-40°C至+125°C
封装类型:SOIC-16
HVU363A具备多个关键特性,使其在高电压功率转换应用中表现出色。首先,它采用高压侧浮动电源技术,可实现高边MOSFET的高效驱动。其次,内置的欠压锁定(UVLO)功能可在电源电压不足时自动关闭输出,防止器件误动作,提高系统稳定性。此外,HVU363A具有极低的传播延迟和延迟匹配时间,有助于提高开关精度和效率。其高抗噪能力确保在高dv/dt环境下仍能稳定工作。最后,该芯片集成了交叉传导保护机制,避免上下桥臂同时导通造成短路,从而提升整体系统的安全性和可靠性。
HVU363A广泛应用于各种电力电子变换器中,如半桥和全桥式DC-DC转换器、电机驱动系统、功率因数校正(PFC)电路、UPS不间断电源以及工业自动化和电源管理系统。其高耐压和高速驱动能力使其成为高电压、高频率开关应用的理想选择。
ISL21090、LM5114、IR20854、FAN7382