HVU357TRF 时间：2025/9/7 10:24:56 阅读：20

HVU357TRF是一款由Rohm Semiconductor（罗姆半导体）生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高功率开关应用。该器件设计用于需要高效能和高可靠性的电源管理领域，如DC-DC转换器、电机控制和负载开关等。HVU357TRF采用高性能硅技术制造，具有低导通电阻和高耐压能力，能够在高电流条件下稳定运行。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：60V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：100A（在25°C时）
　　导通电阻(Rds(on))：约4.8mΩ（最大值）
　　封装类型：TO-263（表面贴装）
　　工作温度范围：-55°C至150°C

特性

HVU357TRF具有低导通电阻，有助于降低功率损耗并提高效率，非常适合用于高电流应用。
　　其高耐压能力（60V）使其适用于各种电源管理电路。
　　该MOSFET具备良好的热稳定性和高可靠性，确保在高温环境下也能正常运行。
　　采用TO-263封装形式，便于表面贴装，适用于自动化生产流程。
　　此外，HVU357TRF的栅极驱动电压范围较宽，可在不同的驱动条件下保持良好的性能表现。

应用

HVU357TRF广泛应用于各种电源管理系统，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关以及电机驱动电路。
　　它也适用于工业自动化设备、汽车电子系统以及高功率便携式设备中的电源管理模块。
　　由于其高可靠性和低导通电阻特性，该MOSFET非常适合用于需要高效能和高稳定性的应用场合。
　　此外，该器件也可用于电池管理系统、电源适配器以及高功率LED照明系统等。