类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：4.7A
　　导通电阻（RDS(on)）：125mΩ @ VGS = 10V
　　导通电阻（RDS(on)）：170mΩ @ VGS = 4.5V
　　功率耗散（PD）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：8

HVU314TRU采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有极低的导通电阻，从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持4.5V至10V之间的驱动，使其兼容多种控制电路。此外，HVU314TRU具有高电流承载能力和良好的热稳定性，适用于高负载条件下的工作环境。
　　该MOSFET具备快速开关特性，适合用于高频开关应用，如同步整流、DC-DC转换器和负载开关管理。其8引脚TSOP封装形式提供了良好的散热性能，有助于在高功率应用中保持稳定的工作状态。同时，该器件的可靠性高，符合工业级温度范围要求，适用于汽车电子、工业控制、通信设备和消费类电子产品。
　　在结构设计方面，HVU314TRU采用了优化的硅片布局和封装材料，有效降低了寄生电感和电容，提高了高频响应和抗干扰能力。此外，其栅极保护设计可防止过电压损坏，增强了器件的耐用性和稳定性。

HVU314TRU广泛应用于多种电源管理和功率控制电路中，包括但不限于：DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统、电机驱动电路、电源适配器、工业自动化设备以及汽车电子系统中的功率控制模块。其低导通电阻和高效率特性使其成为高效率电源设计的理想选择。

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　　 "FDS6675",
　　 "IRF7404",
　　 "Si4435BDY"
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