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HVU306ATR 发布时间 时间:2025/9/7 6:13:42 查看 阅读:42

HVU306ATR 是一款由 Renesas(原Intersil)推出的高电压、高边N沟道MOSFET驱动器集成电路。该器件专为在高压环境下驱动功率MOSFET和IGBT而设计,广泛应用于DC-DC转换器、电机控制、电源管理系统和工业自动化设备中。HVU306ATR采用自举供电方式,具备高耐压能力(可承受高达600V的电压),并提供快速的传播时间和低延迟特性,适用于高频开关应用。

参数

工作电压:12V至20V
  输出电流:±350mA(典型值)
  最大开关频率:1MHz
  传播延迟:50ns(典型值)
  输入逻辑电平兼容:3.3V、5V和15V
  工作温度范围:-40°C至+125°C
  封装形式:8引脚 TSSOP
  高压侧浮动电压:高达600V
  欠压锁定(UVLO)阈值:约8.4V
  栅极驱动电压范围:10V至20V

特性

HVU306ATR 具备多项先进特性,适用于高压功率转换系统。
  首先,其高边驱动能力允许在高压侧直接驱动N沟道MOSFET,避免了使用P沟道MOSFET带来的性能限制,同时提高了系统效率。该器件采用自举供电方式,通过外部自举电容为高边驱动电路提供独立电源,确保稳定运行。
  其次,HVU306ATR具有快速响应能力,传播延迟低至50ns,支持高达1MHz的开关频率,适用于高频开关电源和同步整流等应用。此外,其输入逻辑兼容3.3V、5V和15V电平,便于与不同控制器接口连接。
  在保护功能方面,该芯片内置欠压锁定(UVLO)功能,当电源电压低于安全阈值时自动关闭输出,防止MOSFET因驱动电压不足而损坏。同时,其设计具备较强的抗噪声能力,防止误触发,提高系统的稳定性。
  最后,HVU306ATR采用8引脚TSSOP封装,体积小巧,便于在高密度PCB设计中使用,并具有良好的热性能,适用于工业级温度范围(-40°C至+125°C)。

应用

HVU306ATR 广泛应用于多种高压功率电子系统中,尤其适合需要高效率、高频率开关操作的场合。
  其主要应用包括:DC-DC转换器中的高边MOSFET驱动、电机控制电路中的H桥结构驱动、工业电源管理系统、太阳能逆变器、UPS不间断电源、高压LED驱动器以及功率因数校正(PFC)电路。
  由于其高耐压能力和快速响应特性,该芯片在需要高可靠性与高效率的电源转换系统中表现出色,例如在电动车充电器、智能电网设备以及工业自动化控制系统中均有广泛应用。
  此外,HVU306ATR也可用于同步整流电路中,以提高电源转换效率并减少功率损耗,适用于高性能开关电源(SMPS)和隔离式AC-DC转换器的设计。

替代型号

IR2110S、LM5109B、IRS21844、FAN7382、NCP5103

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