HVU306ATR 时间：2025/9/7 6:13:42 阅读：48

HVU306ATR 是一款由 Renesas（原Intersil）推出的高电压、高边N沟道MOSFET驱动器集成电路。该器件专为在高压环境下驱动功率MOSFET和IGBT而设计，广泛应用于DC-DC转换器、电机控制、电源管理系统和工业自动化设备中。HVU306ATR采用自举供电方式，具备高耐压能力（可承受高达600V的电压），并提供快速的传播时间和低延迟特性，适用于高频开关应用。

参数

工作电压：12V至20V
　　输出电流：±350mA（典型值）
　　最大开关频率：1MHz
　　传播延迟：50ns（典型值）
　　输入逻辑电平兼容：3.3V、5V和15V
　　工作温度范围：-40°C至+125°C
　　封装形式：8引脚 TSSOP
　　高压侧浮动电压：高达600V
　　欠压锁定（UVLO）阈值：约8.4V
　　栅极驱动电压范围：10V至20V

特性

HVU306ATR 具备多项先进特性，适用于高压功率转换系统。
　　首先，其高边驱动能力允许在高压侧直接驱动N沟道MOSFET，避免了使用P沟道MOSFET带来的性能限制，同时提高了系统效率。该器件采用自举供电方式，通过外部自举电容为高边驱动电路提供独立电源，确保稳定运行。
　　其次，HVU306ATR具有快速响应能力，传播延迟低至50ns，支持高达1MHz的开关频率，适用于高频开关电源和同步整流等应用。此外，其输入逻辑兼容3.3V、5V和15V电平，便于与不同控制器接口连接。
　　在保护功能方面，该芯片内置欠压锁定（UVLO）功能，当电源电压低于安全阈值时自动关闭输出，防止MOSFET因驱动电压不足而损坏。同时，其设计具备较强的抗噪声能力，防止误触发，提高系统的稳定性。
　　最后，HVU306ATR采用8引脚TSSOP封装，体积小巧，便于在高密度PCB设计中使用，并具有良好的热性能，适用于工业级温度范围（-40°C至+125°C）。

应用

HVU306ATR 广泛应用于多种高压功率电子系统中，尤其适合需要高效率、高频率开关操作的场合。
　　其主要应用包括：DC-DC转换器中的高边MOSFET驱动、电机控制电路中的H桥结构驱动、工业电源管理系统、太阳能逆变器、UPS不间断电源、高压LED驱动器以及功率因数校正（PFC）电路。
　　由于其高耐压能力和快速响应特性，该芯片在需要高可靠性与高效率的电源转换系统中表现出色，例如在电动车充电器、智能电网设备以及工业自动化控制系统中均有广泛应用。
　　此外，HVU306ATR也可用于同步整流电路中，以提高电源转换效率并减少功率损耗，适用于高性能开关电源（SMPS）和隔离式AC-DC转换器的设计。