类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：80A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大9mΩ @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-252

HVR100-9TRV 的核心特性在于其出色的导通性能和热管理能力。该器件的导通电阻非常低，最大仅为9mΩ，这使得在高电流条件下仍能保持较低的导通损耗，提高整体系统效率。
　　此外，HVR100-9TRV 支持高达80A的连续漏极电流，适用于需要高功率密度的设计。其高耐压能力（100V）使其在多种 DC-DC 转换器和负载开关应用中表现出色。
　　该器件的 TO-252 封装不仅提供了良好的机械稳定性和焊接性能，还具备较强的散热能力，有助于延长器件的使用寿命并提高系统的可靠性。
　　同时，HVR100-9TRV 的栅极驱动电压范围较宽，支持从+10V至+20V之间的驱动电压，这使得其在不同控制电路中的兼容性较强，便于工程师进行灵活设计。
　　该 MOSFET 还具备较高的雪崩能量耐受能力，能够在突发过电压或电感反冲等异常情况下保持稳定工作，提高了系统的安全性和鲁棒性。

HVR100-9TRV 主要应用于高功率密度的电源系统，例如同步整流器、DC-DC 降压/升压转换器、电池管理系统（BMS）、电机驱动器以及工业自动化控制系统等。
　　在服务器电源和电信设备电源中，HVR100-9TRV 被广泛用于提高转换效率并减少热量产生。
　　此外，该器件也非常适合用于电动工具、电动车控制器和储能系统等需要高电流和高可靠性的应用场合。

SiR1000DP-T1-GE3, IPP100N10S4-03, FDP100N10