HVM27WK1TL 时间：2025/9/7 10:35:37 阅读：13

HVM27WK1TL是一款由ROHM（罗姆）公司生产的功率MOSFET，属于N沟道增强型场效应晶体管。该器件专为高功率、高效率应用设计，广泛用于DC-DC转换器、电源管理、马达控制、工业自动化等场合。HVM27WK1TL采用先进的制造工艺，具备优良的导通特性和快速开关性能，同时在高温环境下也能保持稳定工作。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏极-源极电压(Vds)：30V
　　栅极-源极电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：180A（在Tc=25°C）
　　功耗(Pd)：200W
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为2.7mΩ（最大值3.3mΩ）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-263（表面贴装）

特性

HVM27WK1TL具备多项高性能特性。其低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流下仍能保持较低的导通损耗，提高系统整体效率。此外，该器件采用ROHM的先进沟槽栅极结构技术，优化了开关损耗，使其适用于高频开关应用。
　　该MOSFET的高耐压能力（Vds为30V）使其适用于多种中低压功率转换系统，如同步整流、负载开关和马达驱动器等。其±20V的栅极-源极电压容限增强了抗干扰能力，降低了栅极驱动电路设计的复杂度。
　　封装方面，HVM27WK1TL采用TO-263封装，具有良好的热管理和散热性能，适用于表面贴装工艺，便于实现自动化生产并提高系统可靠性。该封装还具备较高的机械强度和耐久性，适合工业级严苛环境下的应用。

应用

HVM27WK1TL主要应用于高功率密度的电源系统，包括DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、电动工具、电动车控制器、马达驱动器、工业自动化设备及负载开关控制等场景。其优异的导通特性和高频响应能力，使其成为高性能电源设计中的理想选择。此外，该器件也适用于需要高效能、低损耗功率开关的各类电子设备，如服务器电源、储能系统以及新能源设备中的功率转换模块。