HVM17WATR 时间：2025/9/7 11:51:54 阅读：7

HVM17WATR 是一款由 Renesas（瑞萨电子）推出的 IGBT（绝缘栅双极型晶体管）芯片，广泛应用于高功率开关和电机控制领域。该器件结合了 MOSFET 的高输入阻抗和双极型晶体管的低导通压降的优点，适用于需要高效能、高可靠性的功率转换系统。

参数

类型：IGBT
　　最大集电极-发射极电压（VCES）：1700V
　　最大集电极电流（IC）：50A（Tc=100℃）
　　短路耐受能力：6μs（典型值）
　　工作温度范围：-40℃ 至 +150℃
　　封装形式：TO-247（单管）
　　栅极阈值电压：5.5V~7.5V
　　导通压降（VCE_sat）：2.1V（典型值，IC=50A）
　　短路电流能力：150A（最大值）

特性

HVM17WATR 具备出色的热稳定性和短路保护能力，能够在极端负载条件下保持稳定运行。其先进的沟槽栅极结构降低了导通损耗，并提升了开关性能。该器件采用了优化的芯片设计，增强了在高温环境下的可靠性，从而延长了整体系统的使用寿命。
　　此外，HVM17WATR 具有良好的电磁干扰（EMI）抑制能力，有助于减少外围电路的复杂度。其快速关断能力降低了开关损耗，适用于高频开关应用。同时，该 IGBT 可以与标准的 MOSFET 驱动电路兼容，简化了设计和集成流程。
　　该器件还具备良好的雪崩耐量，能够在异常工作条件下提供额外的安全保障。其内部结构优化减少了热阻，提高了散热效率，适用于紧凑型高功率密度设计。

应用

HVM17WATR 常用于工业电机驱动、电动汽车逆变器、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、感应加热设备以及各种高功率开关电源系统。其高耐压和大电流能力使其成为工业自动化、能源转换和新能源汽车等领域的理想选择。
　　具体应用包括变频器主开关、电动汽车主逆变器模块、风力发电变流器以及高压直流（HVDC）转换系统。由于其具备短路保护功能，因此也广泛应用于对系统安全性和可靠性要求较高的场合。