类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：100V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：10A
　　导通电阻(Rds(on))：0.45Ω
　　功耗(Pd)：125W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　存储温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-252

HVM100TR具有多项优异的电气和物理特性，使其在高压应用中表现出色。首先，其高耐压能力达到100V，确保了在高压条件下的稳定运行。其次，导通电阻较低，仅为0.45Ω，有助于降低功率损耗并提高系统效率。此外，该器件的最大连续漏极电流为10A，适用于中高功率的应用需求。HVM100TR的封装形式为TO-252，提供了良好的散热性能，确保在高负载条件下仍能保持较低的工作温度。其高可靠性设计使其在恶劣环境中也能稳定工作，适用于工业自动化、电源管理和马达控制等领域。此外，HVM100TR还具备较强的抗静电能力，能够在制造和使用过程中更好地抵御静电放电的影响。总的来说，HVM100TR是一款性能优越、稳定性高的高压MOSFET，广泛适用于多种高电压应用场合。
　　

HVM100TR广泛应用于多种高电压和高功率的电子系统中。其主要应用包括工业电源、直流-直流转换器、交流-直流转换器、马达控制电路、电池管理系统以及电源管理模块。由于其高耐压特性和低导通电阻，HVM100TR特别适合用于需要高效能和稳定性的开关电源和功率调节设备。此外，该器件也常用于自动化控制系统、工业机器人、UPS（不间断电源）系统以及LED照明驱动电路。其良好的散热性能和可靠性使其在高温和高负载环境下依然能够稳定运行，满足工业级应用的严苛要求。
　　

IRF540N, FQP10N10L, STP10NK10Z, FDP10N10L