类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：350V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：10A（在25°C）
　　最大功率耗散：125W
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　封装类型：TO-247
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.35Ω
　　栅极电荷（Qg）：典型值为50nC
　　反向恢复时间（trr）：典型值为100ns

HVM10-350具备优异的电气性能和热稳定性，能够在高压和高电流条件下保持较低的导通损耗，从而提高整体系统的效率。该器件的高耐压能力（350V）使其适用于各种高电压应用场景，如直流-直流转换器、交流-直流整流器以及电机控制电路。
　　此外，HVM10-350的封装设计（TO-247）提供了良好的散热性能，能够有效降低器件的工作温度，延长使用寿命。该MOSFET还具备较强的抗过载能力，在短时间内能够承受超过额定电流的负载，确保系统在突发情况下仍能稳定运行。
　　其栅极驱动特性较为友好，能够在较宽的栅极电压范围内保持稳定的导通状态，减少了驱动电路的设计复杂度。同时，HVM10-350的快速开关特性（低栅极电荷和短反向恢复时间）使其在高频应用中表现出色，降低了开关损耗并提高了系统的响应速度。
　　该器件的可靠性和稳定性经过严格测试，符合工业级标准，能够在恶劣的环境条件下正常工作。这使其成为工业电源、逆变器、太阳能逆变器以及电动汽车充电系统等领域的理想选择。

HVM10-350主要应用于需要高压和高电流处理能力的电力电子系统中。其典型应用包括但不限于：高压直流-直流转换器、工业电源、电机驱动器、可再生能源系统（如太阳能逆变器）、电动汽车充电设备、UPS（不间断电源）系统以及各类高功率开关电源。此外，该MOSFET还可用于需要快速开关和高效率的电机控制和负载管理应用中，确保系统在高压和高负载条件下稳定运行。

IXTP10N350；STP10N350