HVK89BTR 时间：2025/9/7 17:13:03 阅读：6

HVK89BTR 是一款由 STMicroelectronics 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率和高频率应用。这款器件采用先进的技术，提供出色的导通性能和开关性能，适合用于电源转换、电机控制、负载开关和 DC-DC 转换器等应用场景。HVK89BTR 采用紧凑的表面贴装封装（如 PowerFLAT 或类似封装），便于在 PCB 上安装，并且具有良好的热管理性能。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：100A
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：约 1.8mΩ（典型值，具体取决于栅极电压）
　　最大功率耗散：约 125W（具体取决于封装和散热条件）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：PowerFLAT（5x6）或类似

特性

HVK89BTR 的主要特性之一是其低导通电阻（RDS(on)），这有助于降低导通损耗并提高系统效率。此外，该器件能够在高电流和高频率条件下稳定运行，适合用于高要求的电源管理应用。
　　该 MOSFET 具有快速开关能力，减少了开关损耗，从而提高了整体能效。这对于需要高频操作的 DC-DC 转换器和电机控制应用尤为重要。
　　另一个显著优点是其高耐压能力，漏源电压（VDS）可达 30V，适用于多种中低压功率应用。栅源电压范围为 ±20V，提供了良好的栅极控制能力，并兼容多种驱动电路设计。
　　此外，HVK89BTR 采用高效的散热封装设计，能够有效散发运行过程中产生的热量，从而确保在高负载条件下的稳定性和可靠性。这种封装也支持表面贴装工艺，简化了 PCB 设计和制造流程。
　　该器件还具备较高的耐用性和热稳定性，适用于工业控制、汽车电子、消费电子和通信设备等多种应用场景。

应用

HVK89BTR 常用于需要高功率密度和高效能的电子系统中。例如，在电源管理领域，它被广泛应用于同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关以及电池管理系统中。由于其高电流能力和低导通电阻，它在电机驱动和电机控制电路中也有广泛应用。
　　在汽车电子领域，HVK89BTR 可用于车载电源系统、电动助力转向系统、车载充电器等模块，提供稳定可靠的功率控制。其高耐温特性也使其适用于在高温环境下运行的汽车应用。
　　此外，该 MOSFET 还可用于工业自动化控制系统、服务器电源、UPS（不间断电源）和储能系统等，满足对高效功率转换和热管理的严格要求。