时间：2025/9/6 19:02:03
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HVE355是一款高压MOSFET晶体管，常用于高功率电子设备和工业控制应用中。这款晶体管具有较高的电压和电流承受能力，适用于需要高效能和高可靠性的场合。HVE355通常采用TO-220或D2PAK封装，便于散热和安装。
类型: N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）: 55A
最大漏-源电压（VDS）: 500V
最大栅-源电压（VGS）: ±30V
导通电阻（RDS(on))): 0.22Ω
最大功耗（PD）: 150W
工作温度范围: -55°C ~ 150°C
HVE355具有较低的导通电阻，使其在高功率应用中能够保持较低的功耗。其高耐压能力使其适用于高压电源、电机控制和电源管理应用。此外，HVE355具备良好的热稳定性和过载保护能力，确保在恶劣工作环境下仍能保持稳定运行。由于其优异的开关特性，该器件能够在高频条件下运行，提高系统效率。封装设计上，HVE355采用了标准的TO-220或D2PAK封装形式，方便安装在散热片上，以提高散热效率。这种封装方式也有助于减少电路板上的空间占用，提高整体设计的灵活性。HVE355还具备良好的抗静电能力和过热保护功能，使其在各种工业环境中都能保持稳定的工作状态。
HVE355广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器、照明控制系统以及各种高功率电子设备中。其高耐压和大电流能力使其在电力电子领域具有广泛的应用前景。
STP55NF50, IRF540N, FDP55N50
