HVD385B 时间：2025/9/7 4:31:04 阅读：8

HVD385B 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的功率MOSFET驱动器芯片，广泛应用于各种电力电子设备中。该器件专为驱动高边N沟道MOSFET而设计，具备高耐压、高速驱动能力和抗干扰性能，适用于半桥、全桥、同步整流等拓扑结构。HVD385B采用高压集成电路（HVIC）技术，能够直接与微控制器或PWM控制器连接，提供可靠且高效的功率开关控制。该芯片通常封装为14引脚SO或DIP封装，适合工业电源、电机驱动、DC-DC转换器和电池充电器等应用场合。

参数

工作电压范围：10V 至 20V
　　高压侧浮动电压：最大600V
　　输出电流（峰值）：±350mA
　　输入逻辑类型：TTL/CMOS兼容
　　传播延迟：典型值120ns
　　上升/下降时间：典型值50ns/40ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　封装类型：14引脚 SOIC 或 DIP

特性

HVD385B 的核心优势在于其集成的高压侧和低压侧驱动电路，能够在高dv/dt环境下保持稳定工作。该芯片内置一个高压浮动电源，使高边MOSFET的驱动更加简便可靠。此外，HVD385B具有欠压锁定（UVLO）功能，当电源电压低于设定阈值时会自动关闭输出，防止MOSFET工作在非安全区域。该器件还具备较强的抗干扰能力，能够有效抑制高频噪声对驱动信号的影响，从而提高系统的稳定性。其内部采用的HVIC技术使得芯片在600V高压环境下仍能安全运行，适用于高频开关应用。HVD385B的输入端兼容各种控制器，无需额外的电平转换电路，从而简化了外围电路设计。

应用

HVD385B 主要用于驱动高压侧和低压侧N沟道MOSFET，在各种电源变换系统中发挥关键作用。常见的应用包括无刷直流电机驱动器、感应加热电源、UPS不间断电源、太阳能逆变器、DC-AC逆变器以及各种类型的DC-DC转换器。由于其高耐压和快速响应能力，HVD385B也非常适合用于高频开关电路中，如LLC谐振变换器和同步整流系统。在工业自动化和家电控制中，该芯片也常用于驱动功率MOSFET以实现高效的能量转换。