HVD368B2KRF 时间：2025/9/7 7:24:14 阅读：30

HVD368B2KRF 是一款由 Vishay Semiconductors 生产的双极型晶体管（BJT），属于射频（RF）晶体管类别，适用于高频放大和混频应用。这款晶体管采用了硅材料，具有良好的高频性能和稳定性，广泛用于通信设备、射频模块以及工业控制系统中。

参数

类型：双极型晶体管（BJT）
　　晶体管结构：NPN
　　最大集电极-发射极电压（Vceo）：30V
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大功耗（Ptot）：300mW
　　最大工作频率（fT）：1.2GHz
　　增益带宽积（fT）：1.2GHz
　　封装类型：SOT-23
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　最大集电极-基极电压（Vcbo）：30V
　　最大发射极-基极电压（Vebo）：5V

特性

HVD368B2KRF 晶体管具有优异的高频性能，适用于1.2GHz以下的射频应用。其NPN结构使其在放大电路中表现出良好的增益和稳定性。该晶体管的SOT-23封装体积小巧，便于在高密度PCB设计中使用。此外，其最大集电极电流为100mA，适合用于低功率放大和混频器电路。
　　该器件的增益带宽积为1.2GHz，能够在高频环境下保持良好的放大性能。它的最大集电极-发射极电压为30V，具有较强的电压承受能力，适用于多种电源条件下的电路设计。HVD368B2KRF 的最大功耗为300mW，能够在中等功率条件下稳定运行，适合用于无线通信、射频识别（RFID）和测试设备等应用场景。
　　此外，该晶体管的工作温度范围为-55°C至+150°C，能够在恶劣的环境条件下保持稳定性能，适用于工业级和汽车电子应用。其封装设计符合RoHS标准，支持无铅焊接工艺，符合现代电子制造的环保要求。