HVD368B2KRF 是一款由 Vishay Semiconductors 生产的双极型晶体管(BJT),属于射频(RF)晶体管类别,适用于高频放大和混频应用。这款晶体管采用了硅材料,具有良好的高频性能和稳定性,广泛用于通信设备、射频模块以及工业控制系统中。
类型:双极型晶体管(BJT)
晶体管结构:NPN
最大集电极-发射极电压(Vceo):30V
最大集电极电流(Ic):100mA
最大功耗(Ptot):300mW
最大工作频率(fT):1.2GHz
增益带宽积(fT):1.2GHz
封装类型:SOT-23
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
存储温度范围:-55°C 至 +150°C
最大集电极-基极电压(Vcbo):30V
最大发射极-基极电压(Vebo):5V
HVD368B2KRF 晶体管具有优异的高频性能,适用于1.2GHz以下的射频应用。其NPN结构使其在放大电路中表现出良好的增益和稳定性。该晶体管的SOT-23封装体积小巧,便于在高密度PCB设计中使用。此外,其最大集电极电流为100mA,适合用于低功率放大和混频器电路。
该器件的增益带宽积为1.2GHz,能够在高频环境下保持良好的放大性能。它的最大集电极-发射极电压为30V,具有较强的电压承受能力,适用于多种电源条件下的电路设计。HVD368B2KRF 的最大功耗为300mW,能够在中等功率条件下稳定运行,适合用于无线通信、射频识别(RFID)和测试设备等应用场景。
此外,该晶体管的工作温度范围为-55°C至+150°C,能够在恶劣的环境条件下保持稳定性能,适用于工业级和汽车电子应用。其封装设计符合RoHS标准,支持无铅焊接工艺,符合现代电子制造的环保要求。
HVD368B2KRF 主要用于射频放大器、混频器和振荡器电路中。它适用于无线通信系统、射频模块、测试设备和工业控制系统。由于其高频性能和小封装设计,该晶体管也常用于蓝牙、Wi-Fi和其他无线连接技术中的射频前端电路。
2N3904、BC847、BFQ59、HVD368B2KR