类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电压（VDSS）：20V
　　最大漏极电流（ID）：4A
　　导通电阻（RDS(on)）：约50mΩ（典型值，取决于栅极电压）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：1.0V至2.5V
　　最大功耗（PD）：1.4W
　　封装类型：SOT-23-6
　　工作温度范围：-55°C至150°C

HVC202A3TRF MOSFET具有多项优异特性，首先其低导通电阻可显著降低导通状态下的功率损耗，从而提高整体系统效率。其次，该器件支持快速开关操作，适用于高频应用环境，能够有效减少开关损耗并提高响应速度。此外，该MOSFET采用SOT-23-6小型封装形式，体积小巧，适合空间受限的设计，同时保持良好的散热性能。其栅极阈值电压范围适中，能够与多种控制电路兼容，确保稳定运行。HVC202A3TRF还具备良好的热稳定性和过载能力，能够在较高温度环境下可靠工作，提升了系统的鲁棒性和使用寿命。
　　在电气性能方面，该MOSFET的漏极-源极耐压为20V，确保在常见低压电源应用中具备足够的安全裕量。其最大漏极电流为4A，适合中等功率负载的应用需求。此外，HVC202A3TRF的封装设计优化了引脚排列，有助于降低寄生电感和电阻，从而提升高频性能和开关稳定性。

HVC202A3TRF MOSFET广泛应用于多个领域，包括但不限于：电源管理系统，如DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统；电机驱动和控制电路；LED驱动电路；便携式电子产品中的电源管理模块；以及各类需要高效能、小体积开关元件的嵌入式系统。其高频特性也使其适用于音频放大器和功率放大器等模拟电路中的开关应用。

Si2302DS, FDN340P, 2N7002K