工作电压范围：4.5V 至 20V
　　输出电压能力：高达200V
　　输出电流能力：拉电流/灌电流各为1A（典型值）
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装形式：8引脚TDFN
　　驱动延迟时间：典型值150ns
　　工作频率：支持高频操作，最高可达2MHz
　　封装类型：表面贴装（SMD）

HV7231B-M的主要特性之一是其高压侧浮动电源供电能力，使其能够用于高侧开关驱动。该芯片采用自举技术，使MOSFET在高电压条件下仍能正常导通。其输出驱动能力强，具备1A拉电流和灌电流能力，确保MOSFET快速开关，降低开关损耗。
　　此外，HV7231B-M内置欠压锁定功能，当电源电压低于安全阈值时，自动关闭输出以防止MOSFET误操作。该器件还具有交叉传导保护机制，防止上下桥臂同时导通造成短路。芯片内部集成的热关断保护功能可在过热情况下关闭输出，保护器件免受损坏。
　　HV7231B-M采用紧凑的8引脚TDFN封装，适用于空间受限的设计。其高抗噪能力和宽温度范围使其适用于工业环境和恶劣条件下的应用。此外，该器件的输入逻辑兼容CMOS和LSTTL，便于与控制器连接。

HV7231B-M广泛应用于各种需要高压MOSFET或IGBT驱动的场合，包括DC-DC转换器、H桥电机驱动器、半桥和全桥逆变器、功率因数校正（PFC）电路以及工业自动化设备。在电源管理系统中，该芯片常用于驱动高侧开关，提高电源转换效率。
　　由于其高电压能力和快速响应特性，HV7231B-M也适用于高频开关应用，如无线充电系统、LED驱动器和电池管理系统。在电机控制领域，该器件可用于驱动无刷直流电机（BLDC）和永磁同步电机（PMSM），提高系统响应速度和稳定性。

HV7231G-M，IR2104，LM5101B，NCP2071