HV23G是一款高压、高侧和低侧栅极驱动器集成电路,常用于驱动功率MOSFET和IGBT器件。它通常被设计用于半桥或全桥拓扑结构,适用于DC-AC逆变器、电机驱动器、电源转换器等应用。HV23G具有高电压耐受能力,可以承受高达600V的电压,适用于高功率应用环境。
工作电压:15V至20V(电源供电)
输出驱动电流:典型值为0.5A(拉电流和灌电流)
最大工作电压:600V(高侧浮动电压)
工作频率:支持高频操作(通常可达到100kHz以上)
死区时间:可调,通常在100ns到1000ns之间
封装形式:DIP、SOIC、DFN等不同封装形式
工作温度范围:-40°C至+125°C
HV23G具有多个关键特性,使其适用于高压和高功率应用。首先,该器件集成了高侧和低侧驱动电路,减少了外部元件的数量,提高了系统的可靠性和紧凑性。其次,它具备高侧浮动电源供电功能,能够承受高电压,从而支持半桥或全桥拓扑的高效运行。
此外,HV23G内置欠压锁定(UVLO)功能,当电源电压低于安全阈值时,驱动输出将被禁用,防止功率器件在非理想条件下工作,从而避免潜在的损坏。该器件还提供过流保护和短路保护功能,确保在异常条件下系统能够安全运行。
HV23G还支持可调死区时间控制,允许用户根据具体应用需求优化开关性能,减少交叉导通的风险,提高整体效率。其高驱动能力确保功率器件能够快速开关,降低开关损耗,适用于高频开关应用。
最后,HV23G采用了抗干扰设计,能够在高噪声环境中稳定工作,同时支持多种封装形式,满足不同设计需求。
HV23G广泛应用于各种功率电子系统中,如DC-AC逆变器、无刷直流电机驱动器、感应加热设备、工业电源转换器以及新能源系统(如太阳能逆变器)。在这些应用中,HV23G能够高效驱动MOSFET和IGBT,确保系统在高电压和高电流条件下稳定运行。此外,它也适用于需要高可靠性和高性能的消费类电子产品,例如高端UPS(不间断电源)和电动工具控制器。
IR2110, IR2113, IR21844, HV23G的替代型号包括适用于不同应用需求的栅极驱动器,如要求更高驱动电流或集成更多保护功能的型号。