时间：2025/7/9 20:05:52
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HV2225是一款由Harris公司设计的高压N沟道MOSFET芯片，广泛应用于需要高电压驱动的场景。该器件采用先进的制造工艺，能够在较高的电压环境下保持稳定的工作状态。HV2225具有低导通电阻、快速开关速度以及良好的热性能等优点，适合用于各种工业和汽车应用领域。
最大漏源电压：700V
连续漏极电流：2.8A
导通电阻：6.5Ω
栅极电荷：35nC
输入电容：1100pF
总电容：2200pF
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-220
HV2225拥有出色的耐压能力，能够承受高达700V的漏源电压。同时，它还具备较低的导通电阻（6.5Ω），这有助于减少功率损耗并提高效率。此外，该器件的快速开关特性使其非常适合高频应用。
HV2225在高温环境下的稳定性也非常出色，其工作温度范围从-55℃到+150℃，确保了在极端条件下的可靠性。该芯片的封装形式为TO-220，这种封装方式不仅便于安装，而且散热性能良好。
HV2225主要应用于需要高压驱动的场合，例如电机控制、电源管理、逆变器以及各类工业自动化设备中。由于其优异的性能，HV2225也常被用作汽车电子系统中的关键组件，如电动车窗控制器和座椅调节系统等。此外，在家用电器领域，HV2225同样可以发挥重要作用，比如洗衣机、空调压缩机的驱动电路中。
IRFP250N, STP20NF75, FDP17N70
