HV2225Y681KXVATHV 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等领域。该芯片具有低导通电阻、高开关速度以及优异的热性能,能够显著提升系统的效率和可靠性。
这款器件采用先进的制造工艺,在高温和高压环境下也能保持稳定的性能表现,同时其封装形式支持高效的散热管理,适用于对功率密度要求较高的应用场合。
型号:HV2225Y681KXVATHV
类型:N-Channel MOSFET
VDS(漏源极电压):650V
RDS(on)(导通电阻):1.2Ω(典型值,@VGS=10V)
ID(连续漏极电流):14A
功耗:30W
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-247
HV22225Y681KXVATHV 的主要特性包括:
1. 高耐压能力,VDS 高达 650V,适合多种高压应用场景。
2. 极低的导通电阻 RDS(on),在 VGS=10V 时为 1.2Ω,从而减少导通损耗并提高系统效率。
3. 快速开关性能,具备低输入电容和优化的栅极电荷设计,可降低开关损耗。
4. 出色的热稳定性,能够在极端温度条件下可靠运行,适用于工业和汽车领域。
5. 强大的浪涌电流承受能力,确保在瞬态条件下的安全性。
6. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
7. 先进的封装技术提供优越的散热性能,有助于进一步提升功率密度。
HV2225Y681KXVATHV 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS) 和 AC-DC 转换器中的功率级控制。
2. DC-DC 转换器中的同步整流和主开关管。
3. 电机驱动和逆变器中作为功率开关。
4. 工业自动化设备中的负载切换和保护电路。
5. 太阳能逆变器和其他新能源相关应用中的功率转换。
6. 汽车电子系统中的大电流开关和电源管理模块。
IRFP460, FQA14P120, STW98N65M5