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HV2225Y562JXHATHV 发布时间 时间:2025/7/12 0:19:16 查看 阅读:14

HV2225Y562JXHATHV 是一款高性能的高压 MOSFET 芯片,适用于开关电源、电机驱动和逆变器等高电压应用场景。该芯片采用先进的半导体工艺制造,具有低导通电阻、快速开关速度和高耐压的特点,能够有效提高系统效率并降低能耗。
  该器件内置了多种保护机制,例如过流保护、过温保护和短路保护,确保在复杂工作环境下的稳定性和可靠性。此外,HV2225Y562JXHATHV 的封装设计优化了散热性能,使其能够在高功率密度的应用中表现优异。

参数

类型:MOSFET
  最大漏源电压:700V
  持续漏极电流:15A
  导通电阻:0.18Ω
  栅极电荷:45nC
  开关速度:100kHz
  功耗:20W
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

1. 高耐压能力:支持高达 700V 的漏源电压,适用于各种高压场景。
  2. 低导通电阻:仅为 0.18Ω整体效率。
  3. 快速开关速度:100kHz 的开关频率使得该器件非常适合高频应用。
  4. 内置保护功能:具备过流保护、过温保护和短路保护,提高了系统的可靠性和安全性。
  5. 优化的散热性能:采用专门设计的封装结构,有效改善了热传导性能,支持长时间高负载运行。
  6. 宽工作温度范围:从 -55℃ 到 +175℃ 的工作温度区间,适应极端环境条件。

应用

1. 开关电源(SMPS):用于高效能转换电路。
  2. 电机驱动:适用于直流无刷电机、步进电机等驱动控制。
  3. 逆变器:为太阳能逆变器和其他电力转换设备提供核心元件。
  4. 电池管理系统(BMS):用于高电压电池组的充放电管理。
  5. 工业自动化:如伺服驱动器和工业控制器中的功率级应用。
  6. 汽车电子:包括电动车牵引逆变器和车载充电器等。

替代型号

IRF740, STP70NF70, FQP17N50

HV2225Y562JXHATHV参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1,000 : ¥15.06713卷带(TR)
  • 系列HV
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容5600 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定3000V(3kV)
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高电压
  • 等级-
  • 应用通用
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳2225(5763 公制)
  • 大小 / 尺寸0.220" 长 x 0.250" 宽(5.59mm x 6.35mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.106"(2.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-