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HV2225Y182MXMATHV 发布时间 时间:2025/7/1 4:03:49 查看 阅读:6

HV2225是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先进的半导体制造工艺,具有高击穿电压、低导通电阻和快速开关速度等特点。该芯片适用于多种高电压应用场景,例如电源管理、电机驱动和工业控制等领域。
  其封装形式为TO-220,这种封装方式能够提供良好的散热性能,确保芯片在高负载条件下稳定运行。此外,HV2225还具备出色的热稳定性和抗静电能力,提高了整体系统的可靠性。

参数

最大漏源电压:650V
  连续漏极电流:10A
  导通电阻:0.18Ω
  栅极电荷:45nC
  总电容:300pF
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

HV2225的主要特性包括以下几点:
  1. 高耐压能力,可承受高达650V的漏源电压,适用于各种高压电路。
  2. 极低的导通电阻(0.18Ω),有效减少功率损耗并提高效率。
  3. 快速开关特性,适合高频应用环境。
  4. 内置保护功能,如过温保护和短路保护,增强器件的安全性。
  5. 优秀的热性能设计,确保长时间高负载运行时仍能保持稳定。
  6. 符合RoHS标准,环保且无铅设计,满足国际环保要求。

应用

HV2225广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率转换部分,用于提高能源利用率。
  2. 电机驱动器中作为功率输出级,实现高效能的电流控制。
  3. 工业自动化设备中的各类高电压控制电路。
  4. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统中的关键功率处理组件。
  5. 各种需要高可靠性和高性能的电子电路设计中。

替代型号

IRF840, STP10NK60Z, FDP17N65

HV2225Y182MXMATHV参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1,000 : ¥16.14379卷带(TR)
  • 系列HV
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容1800 pF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定5000V(5kV)
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高电压
  • 等级-
  • 应用通用
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳2225(5763 公制)
  • 大小 / 尺寸0.220" 长 x 0.250" 宽(5.59mm x 6.35mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.106"(2.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-