HV2225是一款由安森美(onsemi)推出的高压MOSFET驱动器,专为驱动N沟道MOSFET或IGBT而设计。该芯片具有高电压承受能力以及快速开关特性,使其适用于多种电源管理和电机驱动应用场景。HV2225能够提供较高的输出电流以确保功率器件可靠导通,并且其内部集成了多种保护功能以提升系统稳定性。
HV2225采用SOIC-8封装形式,具备良好的散热性能和紧凑的尺寸,适合于空间受限的设计。
供电电压:4.5V至18V
最大输出电流:±4A
输入信号电压范围:0V至VCC
传播延迟:30ns典型值
工作温度范围:-40℃至+125℃
封装类型:SOIC-8
1. 高压浮栅驱动能力,支持高达600V的功率开关
2. 内置电荷泵电路以保证在宽输入电压范围内稳定运行
3. 超低传播延迟,适合高频应用
4. 集成短路保护和过温保护功能
5. 强大的输出驱动能力,确保快速切换
6. 单电源供电简化了电路设计
7. 宽工作温度范围增强了恶劣环境下的适应性
HV2225广泛应用于各种需要高效驱动的场景中,包括但不限于:
1. 开关电源(SMPS)中的主功率开关驱动
2. 电机驱动控制器中的桥臂控制
3. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制
4. LED驱动器中的PWM调光控制
5. 工业自动化设备中的继电器替代方案
6. 汽车电子系统中的负载开关控制
HV2221, HV2222