HV2225Y123MXHATHV 是一款高性能的高压功率 MOSFET,专为高效率、高频率开关应用而设计。该器件采用先进的制造工艺,能够提供卓越的电气性能和可靠性,适用于电源管理、电机驱动以及工业自动化等领域。
这款芯片具有较低的导通电阻和极佳的开关特性,可显著降低系统功耗并提升整体效率。此外,它还具备强大的雪崩能力及热保护功能,确保在各种复杂工况下的稳定运行。
类型:MOSFET
工作电压:650 V
持续电流:25 A
导通电阻(最大值):80 mΩ
栅极电荷:75 nC
结温范围:-55 ℃ 至 +175 ℃
封装形式:TO-247
HV2225Y123MXHATHV 的主要特点包括:
1. 高耐压能力,支持高达 650V 的工作电压,适合高压应用场景。
2. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于减少传导损耗,提高能效。
3. 快速开关速度,优化了动态性能,降低了开关损耗。
4. 内置过温保护机制,增强了系统的可靠性和安全性。
5. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计,满足国际法规要求。
6. 强大的抗雪崩能力和短路耐受时间,提高了恶劣环境下的鲁棒性。
该器件广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS),例如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动器,用于控制家用电器、工业设备中的电机运转。
3. 太阳能逆变器,作为功率级的核心元件以实现高效的能量转换。
4. 电动车辆牵引逆变器,提供稳定的动力输出。
5. LED 照明驱动电路,保证光源的亮度一致性与节能效果。
6. 其他需要高压大电流切换的应用场景。
HV2225Y123MXNTHV
HV2226Y123MXHATHV
HV2225Y124MXHATHV