HV1H227M1010PZ 是一款高性能的功率 MOSFET,主要用于高电压和大电流的应用场景。该芯片采用先进的制造工艺,确保了其在恶劣环境下的稳定性和可靠性。它具有低导通电阻、快速开关速度以及出色的热性能,适用于各种工业和消费类电子产品中的电源管理和转换应用。
类型:MOSFET
极性:N-Channel
漏源电压(Vds):650V
连续漏极电流(Id):18A
栅极电荷(Qg):75nC
导通电阻(Rds(on)):0.15Ω
封装形式:TO-247
工作温度范围:-55℃ to 150℃
HV1H227M1010PZ 的主要特点是低导通电阻和高开关速度,这使得它在功率转换应用中表现出色。同时,该器件还具备优异的雪崩能力和热稳定性,能够在高电压和大电流条件下长期可靠运行。
具体特性如下:
1. 高耐压能力:高达 650V 的漏源电压使其能够胜任多种高压应用场景。
2. 低导通电阻:仅 0.15Ω 的 Rds(on),有助于降低传导损耗并提高效率。
3. 快速开关性能:75nC 的栅极电荷保证了快速的开关切换,减少了开关损耗。
4. 稳定的工作温度范围:从 -55℃ 到 150℃ 的宽温区支持使其适合各种极端环境下的使用。
5. 优化的热性能:通过改进的散热设计,进一步增强了器件的热管理能力。
这些特性共同使得 HV1H227M1010PZ 成为许多高要求应用的理想选择。
HV1H227M1010PZ 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS):包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动:用于工业控制和家用电器中的电机控制。
3. 逆变器:光伏逆变器和其他类型的电力转换设备。
4. 电池管理系统 (BMS):用于电动车和储能系统中的电池保护与管理。
5. LED 驱动器:为高亮度 LED 提供高效的驱动方案。
6. 充电器:手机、笔记本电脑及其他电子设备的快速充电解决方案。
凭借其卓越的性能和可靠性,HV1H227M1010PZ 在众多功率电子应用中发挥了关键作用。
IRFP260N, STW13NM65, FDP18N65C3