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HV1812Y821MXMATHV 发布时间 时间:2025/12/24 15:41:21 查看 阅读:26

HV1812 是一款高性能的 MOSFET 驱动器芯片,专为高压、高功率应用设计。该驱动器能够快速驱动 N 沟道和 P 沟道 MOSFET 或 IGBT,适用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等场景。其封装形式为 SOIC-8,具有紧凑性和良好的散热性能。
  HV1812 提供了高效的栅极驱动能力,并且内置了保护电路以提高系统的可靠性。

参数

供电电压:10V 至 50V
  输入电平兼容性:TTL 和 CMOS 兼容
  输出驱动电流:峰值可达 ±4A
  传播延迟:典型值 35ns
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  封装形式:SOIC-8

特性

1. 高压操作能力:支持高达 50V 的供电电压,满足各种高压应用场景的需求。
  2. 快速开关性能:低传播延迟(35ns 典型值)确保了快速的开关速度,从而提高了效率并降低了损耗。
  3. 大驱动电流:±4A 的峰值输出电流可以轻松驱动大容量的 MOSFET 和 IGBT。
  4. 安全保护功能:内置过流保护和欠压锁定功能,提高了系统的稳定性和安全性。
  5. 输入电平兼容性:支持 TTL 和 CMOS 输入信号,便于与不同类型的控制器接口。
  6. 小型化封装:采用 SOIC-8 封装,节省 PCB 空间,同时具备良好的散热性能。

应用

1. 开关电源 (SMPS):用于驱动主功率级的 MOSFET 或 IGBT。
  2. DC-DC 转换器:在降压或升压转换器中提供高效的栅极驱动。
  3. 电机驱动:控制电机的功率级,实现高效的速度和方向控制。
  4. LED 驱动器:在高功率 LED 应用中提供稳定的电流驱动。
  5. 工业自动化设备:例如 PLC 输出级驱动、伺服驱动等。
  6. 其他需要高效驱动 MOSFET 或 IGBT 的应用领域。

替代型号

IR2110, TC4420, FAN7382, HIP4081A

HV1812Y821MXMATHV参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格2,000 : ¥6.12226卷带(TR)
  • 系列HV
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容820 pF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定5000V(5kV)
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高电压
  • 等级-
  • 应用通用
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1812(4532 公制)
  • 大小 / 尺寸0.177" 长 x 0.126" 宽(4.50mm x 3.20mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.106"(2.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-