时间：2025/7/12 4:08:45
阅读：13
HV1812是一款由安森美（ON Semiconductor）推出的高压MOSFET驱动器芯片，设计用于驱动N沟道功率MOSFET或IGBT。它适用于高电压、大电流开关应用场合，如电机驱动、电源转换和逆变器系统。HV1812支持高达600V的输出电压，具有快速响应和低传播延迟的特点。
该芯片内部集成了电平位移电路，能够将低压输入信号转换为适合驱动高压侧开关的信号。其结构紧凑且性能稳定，可显著简化电路设计并提高整体效率。
最大输出电压：600V
输入电压范围：4.5V 至 18V
驱动电流能力：±3A
传播延迟：70ns 典型值
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
封装形式：SOIC-8
1. 高耐压能力，支持高达600V的工作电压。
2. 内置电平位移功能，适用于半桥拓扑中的高压侧驱动。
3. 快速的开关速度，降低开关损耗。
4. 较高的驱动电流能力，确保MOSFET或IGBT能快速导通和关断。
5. 宽输入电压范围，兼容多种供电条件。
6. 芯片具备短路保护机制，提高了系统的可靠性。
7. 小型化的SOIC-8封装，便于PCB布局与安装。
1. 电机驱动控制，如无刷直流电机（BLDC）和步进电机驱动。
2. 开关电源（SMPS），包括反激式、正激式及全桥/半桥拓扑。
3. 太阳能逆变器和不间断电源（UPS）。
4. 工业自动化设备中的功率级控制。
5. LED照明驱动，尤其是需要高压侧控制的应用。
6. 电动车及家用电器的功率管理模块。
IR2110
TC4427
SIH502AU
