HV1812是一款由安森美(onsemi)推出的高压半桥驱动芯片,适用于多种功率转换和电机驱动应用场景。该芯片具有高侧和低侧驱动能力,能够有效控制外部N沟道MOSFET或IGBT,支持高达600V的电压操作,并内置了自举二极管以简化电路设计。HV1812Y332KXHATHV是其具体封装和引脚排列的一个版本,采用SOIC-14封装形式。
逻辑输入电压:3.3V~15V
输出峰值电流:±450mA
工作电压范围:8V~600V
传播延迟:70ns(典型值)
通道间匹配延迟:20ns(最大值)
供电电流:2mA(典型值,待机模式)
工作温度范围:-40℃~125℃
封装形式:SOIC-14
HV1812具有强大的驱动能力,可以轻松驱动大功率MOSFET或IGBT。它支持独立的高低侧驱动,带有欠压锁定保护功能(UVLO),可防止在低压条件下运行时损坏器件。此外,芯片内置短路保护、热关断以及互锁机制,确保在开关切换过程中不会出现直通现象。
HV1812还具备较短的传播延迟时间,有助于提高系统效率和动态响应速度。其自举二极管的设计使得高侧驱动更加简单,减少了外部元件的数量,从而降低了整体方案的成本和复杂度。
HV1812广泛应用于多种领域,包括但不限于电机驱动、DC-DC转换器、逆变器、电磁阀驱动以及各种工业自动化设备中的功率级控制。
由于其高压耐受能力和快速响应特性,HV1812非常适合用于汽车电子、家电控制单元及各类需要可靠功率管理的场景。
HV1811, FAN7382, IR2110