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HV1812Y271MXMATHV 发布时间 时间:2025/7/12 0:18:40 查看 阅读:12

HV1812是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的高压MOSFET驱动器,主要用于需要高电压和快速开关的应用场景。该器件能够提供高达500V的工作电压,适用于驱动N沟道或P沟道MOSFET、IGBT等功率开关元件。其设计具有较低的传播延迟和较高的驱动能力,确保在高频工作条件下的高效性能。
  这款芯片广泛应用于电源管理、电机驱动、工业自动化等领域,特别适合需要高耐压和高效率的系统设计。

参数

最大输出电压:500V
  峰值输出电流:1.5A
  工作温度范围:-40℃至+125℃
  输入电压范围:4.5V至20V
  传播延迟:30ns
  封装形式:SOIC-8

特性

HV1812具备出色的高压驱动能力,可以有效减少开关损耗并提高系统的整体效率。其内部集成了保护电路,包括过流保护和短路保护功能,从而提升了系统的可靠性。
  此外,该芯片支持高速开关操作,非常适合高频应用场合。低静态电流设计有助于降低功耗,特别是在电池供电的应用中显得尤为重要。
  芯片还具有良好的电磁兼容性(EMC),能够在复杂电磁环境中稳定运行。同时,其引脚布局合理,便于PCB布线和散热设计。

应用

HV1812广泛用于各种高压驱动场景,例如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、LED驱动器、逆变器、太阳能微逆变器以及电机控制模块。
  在工业领域,它可用于伺服驱动器、机器人控制器和可编程逻辑控制器(PLC)等设备。此外,在消费电子市场中,该芯片也常见于家用电器、音频放大器和游戏设备等产品中。

替代型号

IR2110, TC4427

HV1812Y271MXMATHV参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格2,000 : ¥8.33571卷带(TR)
  • 系列HV
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容270 pF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定5000V(5kV)
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高电压
  • 等级-
  • 应用通用
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1812(4532 公制)
  • 大小 / 尺寸0.177" 长 x 0.126" 宽(4.50mm x 3.20mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.106"(2.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-