时间：2025/6/26 17:14:16
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HV1812Y是一款高压功率MOSFET，采用先进的沟槽式工艺制造。该器件具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能，非常适合用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等应用领域。其封装形式为TO-220，能够有效提高散热性能并支持高电流操作。
该型号具体标注为HV1812Y221KXMATHV，其中包含了制造商特定编码和批次信息。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：4A
导通电阻：1.2Ω
栅极电荷：35nC
输入电容：1200pF
反向恢复时间：85ns
工作结温范围：-55℃至+175℃
HV1812Y具备出色的电气特性和可靠性：
1. 高耐压能力使其适用于多种高压应用场景。
2. 低导通电阻有助于减少导通损耗，从而提升效率。
3. 快速开关性能可以降低开关损耗，适合高频设计。
4. 具备ESD保护功能以增强稳定性。
5. 封装材料及引脚设计优化了散热路径，确保长期稳定运行。
该器件广泛应用于以下场景：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管。
2. DC-DC转换器中的同步整流或升压电路。
3. 电动工具、家用电器中的电机驱动电路。
4. 各类工业设备中的负载开关与保护电路。
5. 能量存储系统中的电池管理模块。
IRF840,
STP10NK60Z,
FDP150N65S3
