时间：2025/8/25 1:29:54
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HUFA766443S3 是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率、高频率开关应用而设计，适用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制和负载开关等场景。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具备低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，有助于减少功率损耗并提升系统效率。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（Id）：100A
最大漏源电压（Vds）：60V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：1.75mΩ @ Vgs=10V
栅极电荷（Qg）：140nC
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：TO-263（D2PAK）
HUFA766443S3 具备多项优良的电气和热性能，能够满足高功率密度设计的需求。首先，其极低的导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通状态下的功率损耗，提高系统效率。其次，该器件采用了先进的沟槽式工艺技术，使其在高频开关应用中表现出良好的动态性能，减少开关损耗。
此外，HUFA766443S3 的最大漏极电流可达 100A，适用于高电流负载应用。其高耐压特性（60V Vds）确保在多种电源拓扑结构中稳定工作。栅极电荷（Qg）仅为 140nC，有助于减少驱动电路的负担，提高开关速度。
HUFA766443S3 主要应用于各类高功率、高效率的电源管理系统中。常见的应用包括同步整流型 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、服务器电源、工业电源、UPS（不间断电源）以及汽车电子系统中的功率控制模块等。
FDLA6010A, IRF1404, NVTFS5C471NLWFTAG
