时间：2025/8/24 21:37:28
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HUFA76457S3S是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）推出的N沟道功率MOSFET。该器件专为高效率电源管理应用而设计，具有低导通电阻（RDS(on)）和优异的热性能，适用于如DC-DC转换器、同步整流器以及负载开关等高频开关电路。该MOSFET采用先进的封装技术，确保了在高电流工作条件下的可靠性和稳定性。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：11A
最大漏极-源极电压（VDS）：30V
最大栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：@4.5V VGS时为6.8mΩ，@2.5V VGS时为8.5mΩ
功耗（PD）：40W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TSOP（S3S）
HUFA76457S3S具有多项优异特性，首先其低导通电阻有助于降低导通损耗，提高系统效率。其次，该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于在高频开关应用中减少开关损耗。
此外，该MOSFET具备良好的热稳定性，得益于其高效的封装设计，可在高功率密度环境下保持良好的散热性能。
该器件的栅极氧化层设计可承受高达20V的栅极电压，提供更宽的驱动电压范围，增强驱动灵活性。
由于其采用先进的沟槽式MOSFET技术，HUFA76457S3S在低VGS（如2.5V）下仍能保持较好的导通性能，适用于低压驱动电路，如同步整流器和电池供电设备。
此外，该器件符合RoHS环保标准，适合用于各种绿色环保电子产品的设计。
HUFA76457S3S广泛应用于多个领域，包括但不限于：高性能DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电源管理系统、电池充电电路、服务器电源模块以及工业控制设备中的功率开关部分。其低导通电阻和高频特性使其特别适合于需要高效能和高可靠性的电源管理设计。
SiR142DP-T1-GE3, FDS6675CZ, AO4406A, NVTFS5C471NLWTAG
