时间：2025/5/7 18:22:51
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HUFA76443P3 是一款高性能的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用P-channel技术设计，广泛应用于电源管理、负载开关、DC-DC转换器等领域。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和出色的热性能，能够有效减少能量损耗并提高系统效率。
这款功率MOSFET适合用于需要高效能和高可靠性的应用场合，其封装形式通常为SOT-23或类似的表面贴装封装，有助于实现紧凑型设计。
最大漏源电压：-40V
连续漏极电流：-3.8A
导通电阻（Rds(on)）：95mΩ（典型值，Vgs=-4.5V）
栅极电荷：1.5nC（典型值）
开关时间：开启延迟时间4ns，关断下降时间7ns（典型值）
工作结温范围：-55℃至+150℃
封装形式：SOT-23
HUFA76443P3具有非常低的导通电阻，能够在高电流条件下保持较低的功耗。此外，该器件的快速开关能力使其非常适合高频开关应用，能够减少开关损耗。
由于采用了先进的制程工艺，该功率MOSFET具备良好的热稳定性，在高温环境下也能稳定工作。同时，它还具有较强的抗静电能力（ESD保护），确保在生产和使用过程中不易受到损坏。
该器件的小型化封装形式进一步提升了其在空间受限应用中的适用性，例如便携式设备和消费电子产品中的电源管理电路。
HUFA76443P3适用于多种电子电路，包括但不限于以下领域：
- 开关模式电源（SMPS）
- DC-DC转换器
- 负载开关
- 电池管理与保护
- 消费类电子产品中的电源控制
- 工业自动化中的信号切换
其高效能和小型化特点使得该器件成为现代电子设计中的理想选择。
NTR4143P3
HUF76443P3
SI4865DP
FDDP3N10
