HUFA76413D3ST 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET,适用于高电流和高功率的应用。这款器件采用了先进的沟槽技术,提供卓越的导通性能和快速开关特性。该器件通常用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及电机控制等应用中。
类型:N 沟道
漏源电压(Vds):30V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):110A(Tc)
功耗(Pd):130W
工作温度:-55°C ~ 175°C
封装类型:D3PAK(TO-252)
导通电阻(Rds On):约 4.1mΩ(典型值,Vgs=10V)
阈值电压(Vgs(th):2.0V ~ 4.0V
HUFA76413D3ST 的主要特性包括极低的导通电阻(Rds(on)),这使得器件在高电流应用中能够减少功率损耗,从而提高效率。
此外,该 MOSFET 具有较高的电流承载能力和良好的热性能,得益于其 D3PAK 封装形式,有助于快速散热。
它还具备良好的高频开关性能,适用于需要快速切换的应用场景,例如同步整流和开关电源。
由于采用了先进的沟槽式 MOSFET 设计,其栅极电荷(Qg)较低,进一步提升了开关速度,同时减少了驱动电路的负担。
另外,该器件的可靠性较高,能够适应严苛的工作环境,并且在高温下仍能保持稳定的工作状态。
在短路和过载情况下,该 MOSFET 还具有一定的耐受能力,但需要配合适当的保护电路以确保长期稳定运行。
HUFA76413D3ST 被广泛应用于多个领域,包括但不限于:
1. DC-DC 转换器和同步整流器:由于其低 Rds(on) 和高效率,适用于电源转换模块,特别是在需要高电流输出的应用中。
2. 电池管理系统:用于控制充放电路径或作为负载开关,以提高能效并延长电池寿命。
3. 电动工具和电机控制:适用于高电流负载的电机驱动系统,提供快速开关和高效能。
4. 服务器和电信电源:在高可靠性电源系统中,该器件能够确保稳定和高效的电力供应。
5. 工业自动化设备:例如可编程逻辑控制器(PLC)和变频器等,用作高可靠性开关元件。
6. 汽车电子系统:包括车载充电器、启停系统以及电动助力转向系统(EPS)等对性能要求较高的场景。
IRF1324S-7PPBF, SiR132DP-T1-GE3, FDS4682, HUF76427D3ST-GE3