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HUFA76413D3ST 发布时间 时间:2025/8/2 6:20:06 查看 阅读:29

HUFA76413D3ST 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET,适用于高电流和高功率的应用。这款器件采用了先进的沟槽技术,提供卓越的导通性能和快速开关特性。该器件通常用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及电机控制等应用中。

参数

类型:N 沟道
  漏源电压(Vds):30V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):110A(Tc)
  功耗(Pd):130W
  工作温度:-55°C ~ 175°C
  封装类型:D3PAK(TO-252)
  导通电阻(Rds On):约 4.1mΩ(典型值,Vgs=10V)
  阈值电压(Vgs(th):2.0V ~ 4.0V

特性

HUFA76413D3ST 的主要特性包括极低的导通电阻(Rds(on)),这使得器件在高电流应用中能够减少功率损耗,从而提高效率。
  此外,该 MOSFET 具有较高的电流承载能力和良好的热性能,得益于其 D3PAK 封装形式,有助于快速散热。
  它还具备良好的高频开关性能,适用于需要快速切换的应用场景,例如同步整流和开关电源。
  由于采用了先进的沟槽式 MOSFET 设计,其栅极电荷(Qg)较低,进一步提升了开关速度,同时减少了驱动电路的负担。
  另外,该器件的可靠性较高,能够适应严苛的工作环境,并且在高温下仍能保持稳定的工作状态。
  在短路和过载情况下,该 MOSFET 还具有一定的耐受能力,但需要配合适当的保护电路以确保长期稳定运行。

应用

HUFA76413D3ST 被广泛应用于多个领域,包括但不限于:
  1. DC-DC 转换器和同步整流器:由于其低 Rds(on) 和高效率,适用于电源转换模块,特别是在需要高电流输出的应用中。
  2. 电池管理系统:用于控制充放电路径或作为负载开关,以提高能效并延长电池寿命。
  3. 电动工具和电机控制:适用于高电流负载的电机驱动系统,提供快速开关和高效能。
  4. 服务器和电信电源:在高可靠性电源系统中,该器件能够确保稳定和高效的电力供应。
  5. 工业自动化设备:例如可编程逻辑控制器(PLC)和变频器等,用作高可靠性开关元件。
  6. 汽车电子系统:包括车载充电器、启停系统以及电动助力转向系统(EPS)等对性能要求较高的场景。

替代型号

IRF1324S-7PPBF, SiR132DP-T1-GE3, FDS4682, HUF76427D3ST-GE3

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HUFA76413D3ST产品

HUFA76413D3ST参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列UltraFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C20A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C49 毫欧 @ 20A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs20nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds645pF @ 25V
  • 功率 - 最大60W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)