时间：2025/8/2 6:28:34
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HUFA76407D3ST是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率电源转换和功率管理应用设计，具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压能力和良好的热稳定性。该MOSFET采用先进的Trench沟槽技术，能够在高频率下工作，适用于DC-DC转换器、同步整流、负载开关以及电池管理系统等场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：110A（在Tc=25℃）
导通电阻（Rds(on)）：最大5.3mΩ（在Vgs=10V时）
功耗（Pd）：160W
工作温度范围：-55℃ ~ 175℃
封装形式：D3PAK（TO-252）
技术：Trench沟槽技术
HUFA76407D3ST具有多个关键特性，使其适用于高要求的功率应用。
首先，该MOSFET具有非常低的导通电阻（Rds(on)），在Vgs=10V时典型值为5.3mΩ，这有助于减少导通损耗，提高整体效率。
其次，它支持高达110A的连续漏极电流，适合大电流负载应用，如服务器电源、电动工具、电动车电池管理系统等。
该器件的Vds耐压为30V，适用于低压DC-DC转换器和同步整流电路。
此外，HUFA76407D3ST采用了Trench沟槽技术，这不仅提高了器件的电流承载能力，还增强了高频工作下的性能稳定性，降低了开关损耗。
其D3PAK（TO-252）封装形式具有良好的散热性能，有助于在高功率密度设计中实现更优的热管理。
最后，该MOSFET的工作温度范围宽达-55℃至175℃，适用于工业级和汽车级应用环境。
HUFA76407D3ST广泛应用于多种高功率和高效率的电子系统中。
首先，它适用于DC-DC降压/升压转换器，特别是在多相供电系统中，用于提高转换效率并降低热量产生。
其次，该MOSFET常用于同步整流电路，取代传统二极管以提高整流效率，广泛用于开关电源（SMPS）和适配器中。
此外，HUFA76407D3ST也适合用于负载开关和电机控制应用，如电动工具、无人机、电动自行车等设备中的功率控制部分。
在电池管理系统（BMS）中，该器件可作为高侧或低侧开关，用于保护电池组免受过载和短路的影响。
该MOSFET还可用于服务器和通信设备的电源模块，满足高电流、高效率和高可靠性的需求。
FDP110N30, IPW90R045C6, SiR110DP
