时间：2025/6/19 1:47:45
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HUFA75309T3ST 是一款高性能的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于开关和功率转换应用。该器件采用了先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的效率，能够有效减少功率损耗并提升系统的整体性能。
该芯片广泛应用于电源管理、电机驱动、逆变器、不间断电源（UPS）以及各种工业控制领域。
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大持续漏极电流(Id)：80A
导通电阻(Rds(on))：1.5mΩ（在Vgs=10V时）
功耗(Ptot)：240W
封装形式：TO-247-3
工作温度范围：-55°C至+175°C
HUFA75309T3ST 具有卓越的电气特性和可靠性：
1. 极低的导通电阻确保了高效的能量传输，同时减少了发热量。
2. 高速开关能力使得其非常适合高频应用。
3. 内置的ESD保护功能增强了器件的抗静电能力，提高了产品的可靠性。
4. 封装设计坚固耐用，能够在恶劣环境下稳定运行。
5. 符合RoHS标准，绿色环保，适合多种行业规范要求。
这款功率MOSFET 可用于以下应用场景：
1. 开关电源(SMPS)中的主开关元件。
2. 电动工具及家用电器的电机驱动电路。
3. 工业自动化设备中的功率控制模块。
4. 新能源领域如太阳能逆变器和电池管理系统(BMS)。
5. 各类负载切换和保护电路中作为电子开关使用。
IRFP260N
STP80NF06
INFINEON IPP080N06N4
