时间：2025/8/2 7:53:37
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HUFA75307T3ST 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的Trench沟槽技术，具有低导通电阻和高开关性能，适用于高效率电源管理应用。该器件采用DPAK（TO-252）表面贴装封装，适合需要紧凑布局和高功率密度的设计场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：75A
最大漏源电压（VDS）：30V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：4.5mΩ @ VGS=10V
功率耗散（PD）：140W
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
封装类型：DPAK（TO-252）
HUFA75307T3ST 采用先进的Trench沟槽技术，显著降低了导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗，提高了系统的整体效率。
该MOSFET的最大漏源电压（VDS）为30V，最大漏极电流可达75A，适用于中高压功率应用，具有良好的电流承载能力。
其导通电阻仅为4.5mΩ（在VGS=10V时），确保了在高电流条件下的低功率损耗，同时也有助于降低器件的温升，提高系统的稳定性和可靠性。
该器件的最大栅源电压为±20V，允许在较高的驱动电压下工作，从而进一步降低RDS(on)，同时具备良好的抗过压能力。
采用DPAK（TO-252）表面贴装封装，不仅便于自动化生产，而且有助于提高PCB布局的紧凑性，适用于空间受限的设计。
其最大功率耗散为140W，能够在较高负载条件下保持稳定运行，适用于高功率密度的电源转换器、电机控制器和电池管理系统等应用。
工作温度范围从-55°C到175°C，适应各种恶劣环境条件，具有良好的热稳定性。
HUFA75307T3ST 主要应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、负载开关和功率放大器等场景。
其低导通电阻和高电流承载能力使其特别适合用于高效率电源转换设备，如服务器电源、电信设备电源、LED照明驱动器等。
此外，该MOSFET也广泛用于汽车电子系统，如车载充电器、电动工具、电池管理系统（BMS）等需要高可靠性和高效率的场合。
由于其优异的热性能和封装形式，适用于需要良好散热性能的高功率密度设计，如工业自动化设备、UPS不间断电源系统等。
FDP7530、IRF7530、NVTFS5C471NL、SiR753DP
